[發明專利]一種光學器件測試結構及其制作方法在審
| 申請號： | 202110189580.3 | 申請日： | 2021-02-19 |
| 公開（公告）號： | CN113009624A | 公開（公告）日： | 2021-06-22 |
| 發明（設計）人： | 楊妍;張鵬;孫富君;唐波;李彬;劉若男;謝玲;李志華 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | G02B6/12 | 分類號： | G02B6/12;G02B6/42;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京辰權知識產權代理有限公司 11619 | 代理人： | 谷波 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光學 器件 測試 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種光學器件測試結構，其特征在于，包括：
基底；以及
在所述基底上形成的器件層，所述器件層包括光器件、端面耦合器和光柵耦合器；
其中，所述光器件與所述端面耦合器通過光波導連接；所述端面耦合器和所述光柵耦合器耦合連接，所述光柵耦合器位于所述基底上待制作劃片深槽的區域。
2.根據權利要求1所述的光學器件測試結構，其特征在于，所述端面耦合器為倒錐形端面耦合器或懸臂梁型端面耦合器。
3.根據權利要求1所述的光學器件測試結構，其特征在于，所述基底包括：硅襯底，以及在所述硅襯底上形成的埋氧層，所述器件層形成于所述埋氧層上。
4.根據權利要求3所述的光學器件測試結構，其特征在于，所述埋氧層的制作材料為氧化硅。
5.根據權利要求1所述的光學器件測試結構，其特征在于，還包括：在所述器件層上形成的上包層。
6.根據權利要求5所述的光學器件測試結構，其特征在于，所述上包層的制作材料為氧化硅。
7.一種光學器件測試結構的制作方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括：硅襯底，以及在所述硅襯底上形成的埋氧層；
在所述埋氧層上形成器件層，所述器件層包括光器件、端面耦合器和光柵耦合器；其中，所述光器件與所述端面耦合器通過光波導連接；所述端面耦合器和所述光柵耦合器耦合連接，所述光柵耦合器位于所述基底上待制作劃片深槽的區域；
在所述器件層上形成上包層；
在所述基底上待制作劃片深槽的區域進行劃片深槽刻蝕，依次刻蝕掉該區域的上包層、光柵耦合器、埋氧層，以及刻蝕掉預設深度的硅襯底。
8.根據權利要求7所述的光學器件測試結構的制作方法，其特征在于，所述端面耦合器為倒錐形端面耦合器或懸臂梁型端面耦合器。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院微電子研究所，未經中國科學院微電子研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110189580.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
