[發明專利]晶片的加工方法在審
| 申請號: | 202110187368.3 | 申請日: | 2021-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN113299547A | 公開(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發明(設計)人: | 寺西俊輔;一宮佑希;筑地修一郎 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268;H01L21/66;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帥;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一種晶片的加工方法,沿著在正面設定有多條分割預定線的晶片的該分割預定線在該晶片的內部形成改質層,其特征在于,
該晶片的加工方法包含如下的步驟:
保持步驟,使該晶片的該正面與卡盤工作臺相對,利用該卡盤工作臺對該晶片進行保持;
改質層形成步驟,一邊將對于該晶片具有透過性的波長的第一激光束的聚光點定位于該晶片的內部并使激光束照射單元和該卡盤工作臺在沿著該分割預定線的方向上相對地移動,一邊沿著該分割預定線從該晶片的背面側照射該第一激光束,在該晶片的內部形成該改質層;
觀察用激光束照射步驟,在該改質層形成步驟之后,將輸出不超過該晶片的加工閾值并且對于該晶片具有透過性的波長的第二激光束的聚光點定位于該晶片的內部或該正面,一邊使該聚光點沿該晶片的厚度方向移動,一邊從該晶片的該背面側照射該第二激光束;
拍攝步驟,利用拍攝單元對在該觀察用激光束照射步驟中照射的該第二激光束的反射光進行拍攝;以及
判定步驟,根據在該拍攝步驟中拍攝到的圖像,判定該晶片的加工狀態,
在該觀察用激光束照射步驟中照射在該晶片上的該第二激光束成形為與該第二激光束的行進方向垂直的面中的截面形狀隔著該改質層不對稱。
2.根據權利要求1所述的晶片的加工方法,其特征在于,
在該判定步驟中,
在通過該拍攝步驟拍攝到的該圖像中,在該反射光顯現為與跟在該觀察用激光束照射步驟中照射在該晶片上的該第二激光束在該背面中的被照射區域為同一形狀的區域重疊的情況下,判定為在該第二激光束的該聚光點的高度位置形成有裂紋,
在通過該拍攝步驟拍攝到的該圖像中,在該反射光顯現為與將在該觀察用激光束照射步驟中照射在該晶片上的該第二激光束在該背面中的該被照射區域的形狀反轉后的形狀的區域重疊的情況下,判定為在該第二激光束的該聚光點的高度位置沒有形成該裂紋。
3.根據權利要求1或2所述的晶片的加工方法,其特征在于,
該觀察用激光束照射步驟通過液浸來進行。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





