[發(fā)明專利]晶片的加工方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110187368.3
• 申請日: 2021-02-18
• 公開（公告）號: CN113299547A
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發(fā)明（設計）人: 寺西俊輔;一宮佑希;筑地修一郎
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;H01L21/66;H01L21/78
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;黃綸偉

本發(fā)明提供晶片的加工方法，容易地確認形成于晶片的內部的裂紋的長度。沿著分割預定線在晶片的內部形成改質層的晶片的加工方法具有如下的步驟：改質層形成步驟，從該晶片的背面?zhèn)日丈涞谝患す馐谠摼膬炔啃纬筛馁|層；觀察用激光束照射步驟，將輸出不超過該晶片的加工閾值的第二激光束的聚光點定位于該晶片的內部或正面，一邊使該聚光點沿該晶片的厚度方向移動一邊照射該第二激光束；拍攝步驟，利用拍攝單元對該第二激光束的反射光進行拍攝；以及判定步驟，根據在該拍攝步驟中拍攝到的圖像，判定該晶片的加工狀態(tài)，該第二激光束成形為與該第二激光束的行進方向垂直的面中的截面形狀隔著該改質層不對稱。

技術領域

本發(fā)明涉及晶片的加工方法，從晶片的背面?zhèn)日丈浼す馐⒃摷す馐酃庠诰膬炔浚纬勺鳛閷M行分割的起點的改質層，使裂紋從該改質層向晶片的正面?zhèn)壬扉L。

背景技術

在器件芯片的制造工序中，在晶片的正面上設定相互交叉的多條分割預定線，在劃分出的各區(qū)域中形成器件，沿著分割預定線對晶片進行分割。

例如，從晶片的背面?zhèn)认蛟摼丈鋵τ诰哂型高^性的波長(能夠透過晶片的波長)的激光束，使該激光束沿著分割預定線聚光在晶片的內部。此時，在激光束的聚光點的附近形成作為分割起點的改質層。當裂紋從所形成的改質層向晶片的正面伸長時，晶片沿著分割預定線被分割(例如，參照專利文獻1、專利文獻2)。

在該加工方法中，為了形成改質層并且使裂紋從該改質層朝向晶片的正面行進，需要適當?shù)卦O定晶片的深度方向上的改質層的形成位置和激光束的照射條件等加工條件。

如果加工條件等不適當，則裂紋從所形成的改質層向未預定的方向伸長等而無法適當?shù)胤指罹虼似骷酒某善仿式档汀Ａ鸭y未從改質層以充分的長度伸長，裂紋未到達晶片的正面的情況也同樣如此。

專利文獻1：日本特開2005-86161號公報

專利文獻2：日本特開2010-68009號公報

這里，為了確認加工條件等是否適當，即裂紋是否從形成于晶片的改質層朝向晶片的正面適當?shù)匦羞M，例如可以考慮利用顯微鏡等觀察晶片的正面。但是，為了從背面?zhèn)扔^察被照射了激光束的晶片的正面?zhèn)龋绫仨殞⒕瑥募す饧庸ぱb置取出，使晶片的上下翻轉而搬入到顯微鏡等。因此，存在裂紋的形成狀況的確認花費工時的問題。

另外，即使裂紋從改質層朝向正面伸長，在該裂紋的長度不足而裂紋未到達晶片的正面的情況下，即使利用顯微鏡觀察晶片的正面也無法目視確認裂紋，即使使用顯微鏡也無法評價裂紋的長度。在該情況下，如果不分割晶片來觀察切斷面，則無法評價裂紋的長度。

發(fā)明內容

本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供一種晶片的加工方法，即使在從形成于內部的改質層伸長的裂紋未到達晶片的正面的情況下，也能夠確認晶片的加工狀態(tài)。

根據本發(fā)明的一個方式，提供晶片的加工方法，沿著在正面設定有多條分割預定線的晶片的該分割預定線在該晶片的內部形成改質層，其特征在于，該晶片的加工方法包含如下的步驟：保持步驟，使該晶片的該正面與卡盤工作臺相對，利用該卡盤工作臺對該晶片進行保持；改質層形成步驟，一邊將對于該晶片具有透過性的波長的第一激光束的聚光點定位于該晶片的內部并使激光束照射單元和該卡盤工作臺在沿著該分割預定線的方向上相對地移動，一邊沿著該分割預定線從該晶片的背面?zhèn)日丈湓摰谝患す馐谠摼膬炔啃纬稍摳馁|層；觀察用激光束照射步驟，在該改質層形成步驟之后，將輸出不超過該晶片的加工閾值并且對于該晶片具有透過性的波長的第二激光束的聚光點定位于該晶片的內部或該正面，一邊使該聚光點沿該晶片的厚度方向移動，一邊從該晶片的該背面?zhèn)日丈湓摰诙す馐慌臄z步驟，利用拍攝單元對在該觀察用激光束照射步驟中照射的該第二激光束的反射光進行拍攝；以及判定步驟，根據在該拍攝步驟中拍攝到的圖像，判定該晶片的加工狀態(tài)，在該觀察用激光束照射步驟中照射在該晶片上的該第二激光束成形為與該第二激光束的行進方向垂直的面中的截面形狀隔著該改質層不對稱。