[發明專利]一種用于ESD防護電路的柵極接地場效應管及其制備方法有效
| 申請號： | 202110187019.1 | 申請日： | 2021-02-08 |
| 公開（公告）號： | CN113035940B | 公開（公告）日： | 2022-05-10 |
| 發明（設計）人： | 胡濤;王煒槐 | 申請（專利權）人： | 杰華特微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/08 | 分類號： | H01L29/08;H01L29/78;H01L27/02;H01L23/48;H01L21/336 |
| 代理公司： | 杭州鈐韜知識產權代理事務所(普通合伙) 33329 | 代理人： | 唐靈;趙杰香 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖區三墩鎮*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 esd 防護 電路 柵極 接地 場效應 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于ESD防護電路的柵極接地場效應管，其特征在于：包括
襯底；
形成于襯底上的阱區；
位于阱區上的柵極，位于阱區內的源端和漏端，所述源端和漏端位于所述柵極的兩側；
其中，所述漏端包括靠近所述柵極的第一N型重摻區和遠離所述柵極的第二N型重摻區，所述第一N型重摻區和所述第二N型重摻區之間設有氧化物隔離，所述氧化物隔離上設有多晶硅電阻，所述第一N型重摻區和所述第二N型重摻區與所述多晶硅電阻之間通過導線連接。
2.如權利要求1所述的用于ESD防護電路的柵極接地場效應管，其特征在于：所述多晶硅電阻為分段式電阻，每一段電阻并列的設置在所述氧化物隔離上。
3.如權利要求1所述的用于ESD防護電路的柵極接地場效應管，其特征在于：所述第一N型重摻區和所述第二N型重摻區上靠近所述多晶硅電阻的一側上設有第一接觸孔，所述連接到多晶硅電阻上的導線連接在該第一接觸孔上。
4.如權利要求1所述的用于ESD防護電路的柵極接地場效應管，其特征在于：所述第二N型重摻區上遠離所述多晶硅電阻的一側上設有第二接觸孔，該第二N型重摻區通過所述第二接觸孔電連接在一外部陽極上。
5.如權利要求1所述的用于ESD防護電路的柵極接地場效應管，其特征在于：所述氧化物隔離通過場氧工藝或淺溝槽工藝制作而成。
6.如權利要求1所述的用于ESD防護電路的柵極接地場效應管，其特征在于：所述柵極包括與所述襯底接觸的多晶硅柵，所述多晶硅電阻與該多晶硅柵在一個工藝中制作完成。
7.如權利要求1所述的用于ESD防護電路的柵極接地場效應管，其特征在于：所述源端包括源極N型重摻區，所述源端靠近外側還設有體端，所述體端設有P型重摻區，所述源極N型重摻區、P型重摻區與所述第一N型重摻區和第二N型重摻區上設有金屬硅化物層。
8.一種如權利要求1-7任意一項所述的用于ESD防護電路的柵極接地場效應管的制備方法，其特征在于：包括
提供一襯底；
在所述襯底上定義柵區、源區和漏區，所述漏區中定義至少兩個不同位置的重摻區；
制作氧化物隔離，對所述漏區中不同位置的重摻區進行隔離；
在所述柵區和所述漏區上分別制作多晶硅柵和多晶硅電阻，其中，所述多晶硅柵的側面形成側墻，所述多晶硅電阻位于所述漏區中的氧化物隔離上；
以所述多晶硅柵和所述氧化物隔離為掩膜，對定義的重摻區進行對應類型的重摻，至少形成漏端的第一N型重摻區和第二N型重摻區；
將所述第一N型重摻區和所述第二N型重摻區通過導線接到所述多晶硅電阻上。
9.如權利要求8所述的制備方法，其特征在于：還包括步驟：在所述第一N型重摻區和第二N型重摻區上制作接觸孔，其中所述第一N型重摻區和所述第二N型重摻區靠近所述多晶硅電阻的一側形成第一接觸孔，所述第二N型重摻區遠離所述多晶硅電阻的一側形成第二接觸孔，所述連接到多晶硅電阻上的導線連接在該第一接觸孔上。
10.如權利要求8所述的制備方法，其特征在于：還包括步驟：在所述第一N型重摻區和第二N型重摻區上制作金屬硅化物層。
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