[發明專利]半導體基板及半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202110183166.1
• 申請日: 2021-02-08
• 公開（公告）號: CN114256121A
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 高田賢治
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種半導體基板，其具備：

基板，具有基板面，且具有第1外徑；

金屬層，設置在所述基板面上，具有比所述第1外徑小的第2外徑；

第1粘接帶，具有第1基材和第1粘接劑層，經由所述第1粘接劑層粘貼在所述基板面及所述金屬層，所述第1基材具有環狀的形狀，且具有第1面和與所述第1面對置的第2面，該環狀的形狀具有比所述第1外徑小且比所述第2外徑大的第3外徑和比所述第2外徑小的第3內徑，所述第1粘接劑層設置在所述第1面；以及

第2粘接帶，具有第2基材和第2粘接劑層，經由所述第2粘接劑層粘貼在所述第2面及所述金屬層，所述第2基材具有比所述第1外徑小且比所述第3內徑大的第4外徑，具有第3面和與所述第3面對置的第4面，所述第2粘接劑層設置在所述第3面。

2.如權利要求1所述的半導體基板，其中，

所述第1粘接帶還具有設置在所述第2面的第3粘接劑層；

所述第3面經由所述第3粘接劑層粘貼在所述第2面。

3.如權利要求1或2所述的半導體基板，其中，

所述基板還具有環狀凸部，所述環狀凸部沿著所述基板面的外周設置，具有頂上部及將所述頂上部與所述基板面連接的內側面部，所述頂上部的內徑是第5內徑；

所述第3內徑比所述第5內徑大；

所述金屬層還遍及所述頂上部的一部分及所述內側面部設置；

所述第1粘接劑層與設置在所述頂上部的一部分的所述金屬層及所述頂上部接觸。

4.一種半導體裝置的制造方法，其具備：

準備基板的工序，所述基板具有基板面，且具有第1外徑，在所述基板面上具有金屬層，所述金屬層具有比所述第1外徑小的第2外徑；

將具有第1基材和第1粘接劑層的第1粘接帶經由所述第1粘接劑層向所述基板及所述金屬層粘貼的工序，所述第1基材具有比所述第2外徑大的第3外徑，且具有第1面和與所述第1面對置的第2面，所述第1粘接劑層設置在所述第1面；

在所述第1粘接帶以使所述金屬層的一部分露出的方式形成具有比所述第2外徑小的第3內徑的孔的工序；以及

將具有第2基材和第2粘接劑層的第2粘接帶經由所述第2粘接劑層遍及所述第2面及所述金屬層粘貼的工序，所述第2基材具有比所述第3內徑大的第4外徑，且具有第3面和與所述第3面對置的第4面，所述第2粘接劑層設置在所述第3面。

5.一種半導體裝置的制造方法，其具備：

準備基板的工序，所述基板具有基板面，且具有第1外徑，在所述基板面上具有金屬層，所述金屬層具有比所述第1外徑小的第2外徑；

將具有第1基材和第1粘接劑層的第1粘接帶經由所述第1粘接劑層向所述基板及所述金屬層粘貼的工序，所述第1基材具有比所述第2外徑大的第3外徑，且具有第1面、與所述第1面對置的第2面和具有比所述第2外徑小的第3內徑的孔，所述第1粘接劑層設置在所述第1面；以及

將具有第2基材和第2粘接劑層的第2粘接帶經由所述第2粘接劑層遍及所述第2面及所述金屬層粘貼的工序，所述第2基材具有比所述第3內徑大的第4外徑，且具有第3面和與所述第3面對置的第4面，所述第2粘接劑層設置在所述第3面。

6.如權利要求4或5所述的半導體裝置的制造方法，其中，

還具備將所述第1粘接帶切斷為使所述第3外徑比所述第1外徑小且比所述第2外徑大的工序。

7.如權利要求4或5所述的半導體裝置的制造方法，其中，

還具備將所述第2粘接帶切斷為使所述第4外徑比所述第1外徑小且比所述第3內徑大的工序。

8.如權利要求4或5所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述第4外徑比所述第1外徑小且比所述第3內徑大。

9.如權利要求4或5所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述基板還具有環狀凸部，所述環狀凸部沿著所述基板面的外周設置，具有頂上部及將所述頂上部與所述基板面連接的內側面部，所述頂上部的內徑比所述第3內徑小；

所述金屬層還遍及所述內側面部及所述頂上部的一部分設置；

所述第1粘接劑層與設置在所述頂上部的一部分的所述金屬層及所述頂上部接觸。