[發(fā)明專利]基片處理方法和基片處理裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110183119.7
• 申請(qǐng)日: 2021-02-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113284786A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 渡部誠(chéng)一;成重和樹(shù);林欣禾;徐建峰;黃藝豪;梁振康;呂育駿;葉秋華;趙斌;蔡財(cái)進(jìn);渡邊雄仁;河村浩司;小松賢次;金麗;陳偉德;劉達(dá)立
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 分類(lèi)號(hào): H01J37/32;H01L21/3065
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發(fā)明提供能夠抑制蝕刻過(guò)程中的電弧放電的發(fā)生的基片處理方法和基片處理裝置。本發(fā)明是一種腔室中的基片處理方法，其中，腔室包括：載置基片的載置臺(tái)；與載置臺(tái)相對(duì)的上部電極；和用于對(duì)腔室內(nèi)供給處理氣體的氣體供給口，該基片處理方法包含下述a)～d)。a)是對(duì)載置臺(tái)提供基片的工序。b)是對(duì)腔室內(nèi)供給第一處理氣體的工序。c)是通過(guò)一邊對(duì)上部電極連續(xù)地供給負(fù)直流電壓，一邊連續(xù)地供給RF信號(hào)，來(lái)從第一處理氣體生成等離子體的工序。d)是通過(guò)一邊對(duì)上部電極連續(xù)地供給負(fù)直流電壓，一邊供給脈沖狀的RF信號(hào)，來(lái)從第一處理氣體生成等離子體的工序。c)和d)被交替地反復(fù)執(zhí)行。此外，c)的每1次的期間為30秒以下。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的各個(gè)方面和實(shí)施方式涉及基片處理方法和基片處理裝置。

背景技術(shù)

已知一種準(zhǔn)備具有位于不同高度的多個(gè)基底層和形成于多個(gè)基底層上的對(duì)象膜的基片，使用位于各基底層的上方的具有多個(gè)開(kāi)口的掩模，通過(guò)蝕刻在對(duì)象膜中形成深度不同的孔的技術(shù)(例如參照下述專利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2019-9259號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題

本發(fā)明提供一種能夠抑制蝕刻過(guò)程中的電弧放電的發(fā)生的基片處理方法和基片處理裝置。

用于解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案

本發(fā)明的一個(gè)方面是腔室中的基片處理方法，其中，腔室包括：載置基片的載置臺(tái)；與載置臺(tái)相對(duì)的上部電極；和用于對(duì)腔室內(nèi)供給處理氣體的氣體供給口，該基片處理方法包含下述a)～d)。a)是對(duì)載置臺(tái)提供基片的工序。b)是對(duì)腔室內(nèi)供給第一處理氣體的工序。c)是通過(guò)一邊對(duì)上部電極連續(xù)地供給負(fù)直流電壓，一邊連續(xù)地供給RF信號(hào)，來(lái)從第一處理氣體生成等離子體的工序。d)是通過(guò)一邊對(duì)上部電極連續(xù)地供給負(fù)直流電壓，一邊供給脈沖狀的RF信號(hào)，來(lái)從第一處理氣體生成等離子體的工序。c)和d)被交替地反復(fù)執(zhí)行。此外，c)的每1次的期間為30秒以下。

發(fā)明效果

依照本發(fā)明的各個(gè)方面和實(shí)施方式，能夠抑制蝕刻過(guò)程中的電弧放電的產(chǎn)生。

附圖說(shuō)明

圖1是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式中的蝕刻裝置的一個(gè)例子的概要截面圖。

圖2是表示蝕刻前的基片的截面的一個(gè)例子的圖。

圖3是表示蝕刻后的基片的截面的一個(gè)例子的圖。

圖4是表示等離子體蝕刻中的腔室內(nèi)的電子的活動(dòng)的一個(gè)例子的示意圖。

圖5是表示停止RF信號(hào)的供給的情況下的腔室內(nèi)的電子的活動(dòng)的一個(gè)例子的示意圖。

圖6是表示RF信號(hào)和直流電壓的控制的一個(gè)例子的圖。

圖7是表示第一蝕刻工序和第二蝕刻工序的執(zhí)行時(shí)間的一個(gè)例子的圖。

圖8是表示V_pp的大小關(guān)于蝕刻時(shí)間的變化的一個(gè)例子的圖。

圖9是表示導(dǎo)電膜關(guān)于蝕刻時(shí)間的蝕刻量的一個(gè)例子的圖。

圖10是表示蝕刻剛結(jié)束后的孔的狀態(tài)的一個(gè)例子的示意圖。

圖11是表示導(dǎo)電膜被侵蝕的狀態(tài)的一個(gè)例子的圖。

圖12是表示通過(guò)本實(shí)施方式形成的孔的狀態(tài)的一個(gè)例子的圖。

圖13是表示蝕刻方法的一個(gè)例子的流程圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明

ER 邊緣環(huán)

H 孔