[發明專利]基片處理方法和基片處理裝置

在審

• 申請號: 202110183119.7
• 申請日: 2021-02-10
• 公開（公告）號: CN113284786A
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 渡部誠一;成重和樹;林欣禾;徐建峰;黃藝豪;梁振康;呂育駿;葉秋華;趙斌;蔡財進;渡邊雄仁;河村浩司;小松賢次;金麗;陳偉德;劉達立
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/3065
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種腔室中的基片處理方法，其特征在于：

所述腔室包括：載置基片的載置臺；與所述載置臺相對的上部電極；和用于對所述腔室內供給處理氣體的氣體供給口，

該基片處理方法包括：

a)對所述載置臺提供基片的工序；

b)對所述腔室內供給第一處理氣體的工序；

c)通過一邊對所述上部電極連續地供給負直流電壓，一邊連續地供給RF信號，來從所述第一處理氣體生成等離子體的工序；和

d)通過一邊所述上部電極連續地供給負直流電壓，一邊供給脈沖狀的RF信號，來從所述第一處理氣體生成等離子體的工序，

所述c)和所述d)被交替地反復執行，

所述c)的每1次的期間為30秒以下。

2.如權利要求1所述的基片處理方法，其特征在于：

所述d)的每1次的期間為60秒以下。

3.如權利要求1或2所述的基片處理方法，其特征在于：

在所述d)中，

供給所述RF信號的期間與所述脈沖狀的RF信號的1個脈沖周期之比為90％以上。

4.如權利要求1至3中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

在所述d)中，

所述脈沖狀的RF信號的1個脈沖周期的期間為50毫秒以下。

5.如權利要求1至3中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

在所述d)中，

所述脈沖狀的RF信號的脈沖頻率為20Hz以上。

6.如權利要求1至5中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

在所述d)中，

在切斷所述RF信號的供給的期間對所述上部電極供給的負直流電壓的絕對值，大于在供給所述RF信號的期間對所述上部電極供給的負直流電壓的絕對值。

7.如權利要求1至6中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

所述基片具有：導電膜；設置于所述導電膜上的絕緣膜；和設置于所述絕緣膜上的形成有預定的圖案的掩模膜。

8.如權利要求7所述的基片處理方法，其特征在于：

所述絕緣膜是氧化膜，

所述導電膜是硅或鎢的膜。

9.如權利要求1至8中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

所述第一處理氣體包含含碳和氟的氣體、含氧氣體以及稀有氣體。

10.如權利要求9所述的基片處理方法，其特征在于：

所述含碳和氟的氣體是C₄F₈氣體或C₄F₆氣體。

11.如權利要求9或10所述的基片處理方法，其特征在于：

所述含氧氣體是O₂氣體或CO氣體。

12.如權利要求9至11中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

所述稀有氣體是Ar氣體。

13.如權利要求9至12中任一項所述的基片處理方法，其特征在于，還包括：

e)在反復進行所述c)和所述d)后執行的、對所述腔室內供給包含含氮氣體和稀有氣體的第二處理氣體的工序；以及

f)通過對所述腔室內供給所述RF信號來從所述第二處理氣體生成等離子體，去除殘存在由所述c)和所述d)形成于所述基片的孔內的聚合物的工序。

14.如權利要求13所述的基片處理方法，其特征在于：

所述含氮氣體是N₂氣體，

所述稀有氣體是Ar氣體。