[發明專利]一種彩色硅基OLED制備方法

在審

• 申請號: 202110183114.4
• 申請日: 2021-02-08
• 公開（公告）號: CN112928230A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 朱平;趙錚濤;劉勝芳;任清江
• 申請（專利權）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107
• 代理人: 張永生

本發明公開了一種彩色硅基OLED制備方法，通過激光熱轉印的方式在真空環境中將CF直接轉印至第一層ALD上方，減小CF與OLED發光層的距離；同時，CF對于溫度并沒有很強的敏感性，所以再熱轉印過程中不會出現變性的情況；用這種方式來制作CF可以極大的減弱光串擾，使色域提升，視角變好，且減少產品制作過程中水和氧的工藝步驟，減少產品制作過程中的良率損失。

技術領域

本發明涉及OLED制備技術領域，尤其是涉及一種彩色硅基OLED制備方法。

背景技術

有機發光二極管(OLED)顯示器以其輕薄、主動發光、響應速度快、色彩豐富等被業界公認為繼液晶顯示器(LCD)之后的第三代顯示技術。硅基OLED是OLED的一個細分領域，與平板顯示OLED不同的點在于硅基OLED是CMOS驅動的有機發光器件，半導體200nm制程的工藝即可兼容硅基OLED的CMOS驅動制作，硅基OLED相對于平板顯示OLED有以下幾個優點例如PPI高達2000以上、響應速度極快，功耗更低，集成度更高等優勢。

而硅基OLED由于其PPI更高所以其全彩化的技術方案在業界主要分為兩種；第一種是通過Site by Site方式形成R/G/B SubPixel獨立發光，第二種是WOLED+CF的方式形成全彩化。第一種技術方案目前也有幾種方案實現，例如FMM Mask形成R/G/B SubPixel實現全彩化，再比如Photolithography實現SubPixel全彩化；但是Site By Site對于精度要求非常高，FMM Mask制作成本及技術要求很高，Photolithography對于產品的可靠性是一個較大的考驗。所以目前大多數硅基OLED廠商還是會采用WOLED+CF的方式實現全彩化，但是由于傳統的工藝方式CF較OLED發光層距離較遠，且傳統的CF工藝采用涂膠、曝光、顯影的方式，水和氧的參與的工藝較多，使得產品在制作過程中有良率損失的風險。若按照傳統的工藝方式，CF與OLED發光層之間的距離較遠，OLED光到達CF層會有光的串擾，這就直接導致了產品在制作完成之后色域較低，視角較差。

如中國專利申請CN104091822A公開的全彩微型OLED顯示器結構及其制備工藝，提出使用激光熱轉印法制備發光層，以此來避免CF的使用，這樣來提高顯示器的光輸出率，同樣也可以提高顯示器的色域及視角；但是，這種方式存在一定缺陷，由于激光轉印過程中會產生較高溫度，研究表明激光熱轉印的溫度可高達200℃-300℃，而OLED對于溫度非常敏感，一般來說溫度高于100℃，OLED材料就會發生變性，喪失其功能性。

發明內容

針對現有技術不足，本發明所要解決的技術問題是提供一種彩色硅基OLED制備方法，其可有效減弱光串擾，使色域提升，視角變好。

為了解決上述技術問題，本發明所采用的技術方案為：

一種彩色硅基OLED制備方法，包括以下步驟：

S1、在CMOS基板上首先用磁控濺射的方式形成陽極薄膜，再利用涂膠、曝光、顯影、刻蝕、去膠方式形成陽極；

S2、在制備完陽極之后的基板上用化學氣相沉積的方式形成PDL膜層，再利用涂膠、曝光、顯影、刻蝕、去膠方式形成PDL；

S3、在制備完PDL結構之后的基板上用蒸鍍的方式形成OLED膜層；

S4、在蒸鍍完OLED膜層后的基板上采用原子層沉積的方式形成第一ALD膜層；

S5、將紅色光阻給體膜放在已完成第一ALD膜層上方，激光器發出的激光照射至給體膜的光熱轉換層上，光熱轉換層會吸收激光能量轉換為熱能，使激光照射位置的紅色光阻材料層脫離聚合物基板轉移至CMOS基板上方；采用同樣的方法將制備好的綠色光阻給體膜和藍色光阻給體膜轉移至對應的綠色和藍色的子像素上，最終完成彩膜層；

S6、在完成彩膜層的器件結構上利用原子層沉積的方式沉積形成第二ALD膜層；