[發明專利]一種彩色硅基OLED制備方法

在審

• 申請號: 202110183114.4
• 申請日: 2021-02-08
• 公開（公告）號: CN112928230A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 朱平;趙錚濤;劉勝芳;任清江
• 申請（專利權）人: 安徽熙泰智能科技有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107
• 代理人: 張永生

1.一種彩色硅基OLED制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

S1、在CMOS基板上首先用磁控濺射的方式形成陽極薄膜，再利用涂膠、曝光、顯影、刻蝕、去膠方式形成陽極；

S2、在制備完陽極之后的基板上用化學氣相沉積的方式形成PDL膜層，再利用涂膠、曝光、顯影、刻蝕、去膠方式形成PDL；

S3、在制備完PDL結構之后的基板上用蒸鍍的方式形成OLED膜層；

S4、在蒸鍍完OLED膜層后的基板上采用原子層沉積的方式形成第一ALD膜層；

S5、將紅色光阻給體膜放在已完成第一ALD膜層上方，激光器發出的激光照射至給體膜的光熱轉換層上，光熱轉換層會吸收激光能量轉換為熱能，使激光照射位置的紅色光阻材料層脫離聚合物基板轉移至CMOS基板上方；采用同樣的方法將制備好的綠色光阻給體膜和藍色光阻給體膜轉移至對應的綠色和藍色的子像素上，最終完成彩膜層；

S6、在完成彩膜層的器件結構上利用原子層沉積的方式沉積形成第二ALD膜層；

S7、在完成第二ALD膜層后的器件結構上利用化學氣相沉積的方式沉積形成封裝層，完成封裝層后在其上方采用原子層沉積的方式沉積形成第三ALD膜層；

S8、在第三ALD膜層完成之后，在其上方采用涂膠的方式涂一層有機層。

2.如權利要求1所述彩色硅基OLED制備方法，其特征在于：所述陽極的材料可選為Al、Ti、Ag、Cu、Pt、Mo、Cr、ITO等一種或者幾種，陽極厚度為30nm-300nm；所述PDL的材料可選為SiN、SiO、有機材料等絕緣的材料，PDL厚度為20nm-300nm。

3.如權利要求1所述彩色硅基OLED制備方法，其特征在于：所述OLED膜層包含以下膜層：

至少包括一個空穴注入層；至少包括一個空穴傳輸層；至少包括三個發光層分別是紅綠藍三個發光層；至少包括一個電子傳輸層；至少包括一個電子注入層；至少包括一個陰極層；

OLED膜層的材料為有機材料，OLED膜層厚度可選為20nm-300nm之間。

4.如權利要求1所述彩色硅基OLED制備方法，其特征在于：所述ALD膜層所用材料為TiO₂和Al₂O₃中的一種或者兩種，厚度在5nm-60nm之間。

5.如權利要求1所述彩色硅基OLED制備方法，其特征在于：所述給體膜至少包含三層，分別是基板、緩沖層、給體薄膜材料層；

所述基板的材料為聚合物基板，厚度為0.05mm-0.2mm；所述緩沖層為光熱轉換層，轉換層主要分為三層，第一層與聚合物基板相鄰為TiO₂、Al₂O₃及SiO₂中的一種，厚度為300nm-1000nm；第二層位于第一層下方，為Al、Bi、Sn、In、Zn中的任意一種和Al、Bi、Sn、In、Zn、Ti、W、Co、Ni、Au、Ag、Fe、Pt、Pb任意一種的金屬氧化物的復合結構，厚度為200nm-1200nm；第三層與第一層保持一致。

6.如權利要求1所述彩色硅基OLED制備方法，其特征在于：所述激光器的波長可選為762、1064、1522等近紅外或紅外激光，功率P為3-50W之間，激光器光斑的尺寸可根據產品的設計圖進行調節，X方向可調節精度為0.1um，Y方向可調節精度為0.1um，激光光斑大小的重復精度為±0.05um。

7.如權利要求1所述彩色硅基OLED制備方法，其特征在于：所述激光熱轉印應在真空環境下進行，真空度小于1.3*10^-2Pa。

8.如權利要求1所述彩色硅基OLED制備方法，其特征在于：所述封裝層所選材料為SiN_x、SiO₂或有機聚合物的一種或者幾種，厚度可選為500nm-10000nm。