[發(fā)明專利]一種功率放大器的偏置電路、裝置及設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110182211.1 | 申請日: | 2021-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN112994629B | 公開(公告)日: | 2023-10-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 彭振飛;蘇強;倪旭文 | 申請(專利權(quán))人: | 廣州慧智微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H03F3/20 | 分類號: | H03F3/20;H03F1/30 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 賈偉;張穎玲 |
| 地址: | 510663 廣東省廣州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 功率放大器 偏置 電路 裝置 設(shè)備 | ||
1.一種功率放大器的偏置電路,其特征在于,所述偏置電路包括:第一部分電路、第二部分電路和電源;
所述電源與所述第一部分電路的電源端相連,用于為所述第一部分電路供電;
所述第一部分電路的兩端與所述第二部分電路的兩端并聯(lián),并聯(lián)后的一端與信號放大電路中功率放大器的第一晶體管的柵極相連;所述第一部分電路用于對所述第一晶體管的柵極提供第一偏置電壓;所述第二部分電路用于對所述第一晶體管的柵極提供第二偏置電壓;所述第一偏置電壓和所述第二偏置電壓疊加后為所述第一晶體管的柵極提供穩(wěn)定的偏置電壓;
所述偏置電路的阻抗位于預(yù)設(shè)阻抗范圍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路,其特征在于,
所述第一部分電路包括:第二晶體管、第三晶體管、第一電阻和第一電容;
其中,所述第二晶體管的漏極與所述電源相連,所述第二晶體管的漏極與柵極相連;所述第二晶體管的源極與所述第二部分電路的一端相連;所述第二晶體管的柵極通過所述第一電阻與所述第三晶體管的柵極相連,還通過所述第一電容與接地端相連;
所述第三晶體管的漏極與所述電源相連,所述第三晶體管的源極與所述第二部分電路的另一端相連,還與所述第一晶體管的柵極相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路,其特征在于,
所述第一部分電路還包括:第二電阻;其中,所述第二電阻為可變電阻;
所述第一電容通過所述第二電阻與接地端相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路,其特征在于,
所述電源包括:電流源、第一電壓源和第二電壓源;
所述第一電壓源與所述第三晶體管的漏極相連;
所述第二電壓源通過所述電流源與所述第二晶體管的漏極相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路,其特征在于,
所述偏置電路還包括:第三電阻;
所述第三晶體管的源極通過所述第三電阻與所述第一晶體管的柵極相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路,其特征在于,
所述第二部分電路包括:第四晶體管、第五晶體管、第四電阻和第二電容;
所述第四晶體管的漏極與所述第一部分電路的一端相連,所述第四晶體管的源極接地;所述第四晶體管的柵極與所述第五晶體管的柵極相連,還通過所述第二電容與接地端相連;
所述第五晶體管的漏極通過所述第四電阻與所述第五晶體管的柵極相連,還與所述第一部分電路的另一端相連;所述第五晶體管的源極接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路,其特征在于,
所述第四電阻為固定電阻及所述第二電容為固定電容;
或者,所述第四電阻為可變電阻及所述第二電容為可變電容。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路,其特征在于,
所述信號放大電路還包括:第三電容、第四電容、電感和第三電壓源;
所述第一晶體管的柵極與所述第三電容的一端相連,所述第三電容的另一端作為信號輸入端;所述第一晶體管的漏極通過所述電感與所述第三電壓源相連,還與所述第四電容的一端相連,所述第四電容的另一端作為信號輸出端;所述第一晶體管的源極接地。
9.一種功率放大裝置,其特征在于,所述功率放大裝置包括:功率放大器和權(quán)利要求1至8中任意一項所述的功率放大器的偏置電路。
10.一種電子設(shè)備,其特征在于,所述電子設(shè)備包括:
權(quán)利要求9中所述的功率放大裝置。
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