[發明專利]天線段和電感耦合等離子體處理裝置在審
| 申請號: | 202110180584.5 | 申請日: | 2021-02-08 |
| 公開(公告)號: | CN113301701A | 公開(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發明(設計)人: | 齊藤均;東條利洋 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H05H1/46 | 分類號: | H05H1/46;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 天線 電感 耦合 等離子體 處理 裝置 | ||
本發明提供使等離子體密度的均勻性提高的天線段和電感耦合等離子體處理裝置。一種天線段,其通過呈筒狀卷繞天線線材而形成,由所述天線線材的局部形成第1平面,其中,該天線段包括:第1天線線材,其位于卷繞軸線方向上的一側且至少局部形成所述第1平面;以及第2天線線材,其位于所述卷繞軸線方向上的另一側且形成所述第1平面,所述第1天線線材具有:平面上天線部,其形成所述第1平面;層疊天線部,其與所述第2天線線材分離開地配置于該第2天線線材上方;以及連結部,其連接所述平面上天線部和所述層疊天線部。
技術領域
本公開涉及天線段和電感耦合等離子體處理裝置。
背景技術
在專利文獻1中,公開有一種由構成角部的4個第1天線段和構成邊中央部的4個第2天線段這共計8個天線段構成的環狀天線。另外,公開了通過沿與基板交叉的方向卷繞天線線材而將第1天線段和第2天線段構成為縱向卷繞的螺旋狀,從而使面向電介質壁的生成有助于等離子體的生成的感應電場的部分即平面部的感應電場的朝向成為沿著環狀區域的一個方向。
專利文獻1:日本特開2013-162035號公報
發明內容
本公開提供使等離子體密度的均勻性提高的天線段和電感耦合等離子體處理裝置。
本公開的一實施方式的天線段通過呈筒狀卷繞天線線材而形成,并由所述天線線材的局部形成第1平面,其中,該天線段包括:第1天線線材,其位于卷繞軸線方向上的一側且至少局部形成所述第1平面;以及第2天線線材,其位于所述卷繞軸線方向上的另一側且形成所述第1平面,所述第1天線線材具有:平面上天線部,其形成所述第1平面;層疊天線部,其與所述第2天線線材分離開地配置于該第2天線線材的上方;以及連結部,其連接所述平面上天線部和所述層疊天線部。
根據本公開,能夠提供使等離子體密度的均勻性提高的天線段和電感耦合等離子體處理裝置。
附圖說明
圖1是表示第1實施方式的基板處理裝置的一個例子的縱剖視圖。
圖2是表示金屬窗和高頻天線的配置的一個例子的俯視圖。
圖3是表示第2天線段的一個例子的立體圖。
圖4是表示第1天線段的一個例子的的立體圖。
圖5是表示第1天線段的一個例子的的主視圖。
圖6是表示第1天線段的一個例子的B-B剖視圖。
圖7是表示第1天線段的一個例子的C-C剖視圖。
圖8是表示第1天線段的一個例子的D-D剖視圖。
圖9是表示第1天線段的另一例子的立體圖。
圖10是表示徑向上的感應電場的變化的圖表的一個例子。
圖11是表示第1天線段的另一例子的立體圖。
圖12是表示第2天線段的另一例子的立體圖。
圖13是表示電流的流動的示意圖。
圖14是表示第1天線段的另一例子的立體圖。
圖15是表示第1天線段的另一例子的立體圖。
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