[發明專利]半導體元件及其制備方法

在審

• 申請號: 202110179485.5
• 申請日: 2021-02-09
• 公開（公告）號: CN113314533A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 吳俊亨
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L23/488;H01L21/8242
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

本公開提供一種半導體元件及該半導體元件的制備方法。該半導體元件具有一基底、一墊結構以及一上凹槽，該墊結構位在該基底上，該上凹槽位在該墊結構的一頂表面上。該半導體元件的該制備方法包括形成一墊結構在一基底上以及形成一上凹槽在該墊結構的一頂表面上。

技術領域

本申請案主張2020年2月26日申請的美國正式申請案第16/801,650號的優先權及益處，該美國正式申請案的內容以全文引用的方式并入本文中。

本公開涉及一種半導體元件以及該半導體元件的制備方法。特別是涉及一種具有一凹槽的半導體元件，以及具有該凹槽的該半導體元件的制備方法。

背景技術

半導體元件是使用在不同的電子應用，例如個人電腦、手機、數碼相機，或其他電子設備。半導體元件的尺寸是逐漸地變小，以符合計算能力所逐漸增加的需求。然而，在尺寸變小的制程期間，是增加不同的問題，且影響到最終電子特性、品質以及良率。因此，仍然持續著在達到改善品質、良率以及可靠度方面的挑戰。

上文的“先前技術”說明僅是提供背景技術，并未承認上文的“先前技術”說明揭示本公開的標的，不構成本公開的先前技術，且上文的“先前技術”的任何說明均不應作為本案的任一部分。

發明內容

本公開的一實施例提供一種半導體元件，包括：一基底；一墊結構，位在該基底上；以及一上凹槽，位在該墊結構的一頂表面上。

在本公開的一些實施例中，該墊結構包括一下墊以及一上墊，該下墊位在該基底上，該上墊位在該下墊上，而該上凹槽則位在該上墊的一頂表面上。

在本公開的一些實施例中，該半導體元件還包括一下凹槽，位在該下墊的一頂表面上，其中該上墊位在該下凹槽與該下墊上。

在本公開的一些實施例中，該半導體元件還包括二間隙子，貼合到該墊結構的兩側。

在本公開的一些實施例中，該上凹槽鄰近該上墊的該頂表面的一邊緣設置。

在本公開的一些實施例中，該墊結構包括一下墊、一中墊以及一上墊，該下墊位在該基底上，該中墊位在該下墊上，該上墊位在該中墊上，而該上凹槽則位在該上墊的一頂表面上。

在本公開的一些實施例中，該半導體元件還包括一下凹槽以及一中凹槽，該下凹槽位在該下墊的一頂表面上，該中凹槽位在該中墊的一頂表面上，其中該中墊位在該下凹槽與該下墊上，而該上墊則位在該中凹槽與該中墊上。

在本公開的一些實施例中，半導體元件，還包括一重分布層，位在該基底上，其中該墊結構位在該重分布層上。

在本公開的一些實施例中，該墊結構包括一下墊以及一上墊，該下墊位在該重分布層上，該上墊位在該下墊上，而該上凹槽則位在該上墊的一頂表面上。

在本公開的一些實施例中，該半導體元件還包括一基礎凹槽以及一下凹槽，該基礎凹槽位在該重分布層的一頂表面上，該下凹槽位在該下墊的一頂表面上并直接位在該基礎凹槽上方，其中該下墊位在該基礎凹槽與該重分布層上，該上墊位在該下凹槽與該下墊上，而該上凹槽則直接位在該下凹槽上方。

在本公開的一些實施例中，該上凹槽的一深度對該墊結構的一厚度的一比率，介于1：10到1：20之間。

在本公開的一些實施例中，該半導體元件還包括一應力釋放結構，直接位在該墊結構下方。

在本公開的一些實施例中，該應力釋放結構包括一導電架以及多個隔離區段，該導電架直接位在該墊結構下方，該多個隔離區段位在該導電架內。

在本公開的一些實施例中，該半導體元件還包括一應力緩沖層，位在該應力釋放結構與該墊結構之間，其中該應力緩沖層由一材料所制，該材料具有一熱膨脹系數以及一楊氏模量，該熱膨脹系數小于約20ppm/℃，而該楊氏模量小于約15GPa。