[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)、顯示基板和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110178480.0 | 申請日: | 2021-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN112750853B | 公開(公告)日: | 2022-09-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李維善 | 申請(專利權(quán))人: | 南昌廣恒電子中心(有限合伙) |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 330100 江西省南昌市*** | 國省代碼: | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 像素 結(jié)構(gòu) 顯示 顯示裝置 | ||
本發(fā)明實施例公開了一種像素結(jié)構(gòu)、顯示基板和顯示裝置,通過設置像素結(jié)構(gòu)包括至少兩個子像素結(jié)構(gòu);至少兩個子像素結(jié)構(gòu)疊置形成疊置單元,且疊置單元的不同子像素結(jié)構(gòu)的延伸方向的夾角大于0度小于180度;疊置單元中任一子像素結(jié)構(gòu)包括在像素結(jié)構(gòu)厚度方向上,與疊置單元中其他子像素結(jié)構(gòu)彼此重疊的第一發(fā)光區(qū)域,且疊置單元中的任一子像素結(jié)構(gòu)包括在像素結(jié)構(gòu)厚度方向上,與疊置單元中其他子像素結(jié)構(gòu)無交疊的第二發(fā)光區(qū)域;使得疊置單元形成立體結(jié)構(gòu),相對于現(xiàn)有技術(shù)中像素結(jié)構(gòu)中不同子像素結(jié)構(gòu)的無交疊的方案,可以使得像素結(jié)構(gòu)占用的平面面積減少,進而有利于顯示裝置像素密度的提高。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實施例涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種像素結(jié)構(gòu)、顯示基板和顯示裝置。
背景技術(shù)
目前,微發(fā)光二極體(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)由于其高響應速度,高色域,高亮度,長壽命等,被稱為未來顯示技術(shù);液晶顯示器(Liquid CrystalDisplay,LCD)配合毫米發(fā)光二極管(Mini Light Emitting Diode,MINI LED)背光技術(shù),量子的技術(shù)或者高演色性技術(shù),也是使之相對于有機發(fā)光二極管(Organic light-emittingdiode,OLED)保持壽命,亮度優(yōu)勢同時,縮小其在對比度,色域方面的相對劣勢的手段。
由于將由于Micro LED芯片或MINI LED芯片制作小后存在邊緣效應等原因,小尺寸芯片制作困難,使得顯示裝置難以實現(xiàn)高像素密度。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)、顯示基板和顯示裝置,以減小像素結(jié)構(gòu)的占用平面面積,提高顯示裝置的像素密度。
第一方面,本發(fā)明實施例提供了一種像素結(jié)構(gòu),包括:至少兩個子像素結(jié)構(gòu);
至少兩個子像素結(jié)構(gòu)疊置形成疊置單元,且疊置單元的不同子像素結(jié)構(gòu)的延伸方向的夾角大于0度小于180度;
疊置單元中任一子像素結(jié)構(gòu)包括在像素結(jié)構(gòu)厚度方向上,與疊置單元中其他子像素結(jié)構(gòu)彼此重疊的第一發(fā)光區(qū)域,且疊置單元中的任一子像素結(jié)構(gòu)包括在像素結(jié)構(gòu)厚度方向上,與疊置單元中其他子像素結(jié)構(gòu)無交疊的第二發(fā)光區(qū)域。
可選的,疊置單元包括疊置的第一子像素結(jié)構(gòu)和第二子像素結(jié)構(gòu);
可選的,第一子像素結(jié)構(gòu)和第二子像素結(jié)構(gòu)的發(fā)光顏色不同。
可選的,像素結(jié)構(gòu)還包括第三子像素結(jié)構(gòu),第三子像素結(jié)構(gòu)與第一子像素結(jié)構(gòu)、第二子像素結(jié)構(gòu)疊置形成疊置單元;
可選的,第一子像素結(jié)構(gòu)、第二子像素結(jié)構(gòu)、第三子像素結(jié)構(gòu)的發(fā)光顏色均不相同。
可選的,像素結(jié)構(gòu)還包括第三子像素結(jié)構(gòu),第三子像素結(jié)構(gòu)與第一子像素結(jié)構(gòu)、第二子像素結(jié)構(gòu)的垂直投影均無交疊;
可選的,第一子像素結(jié)構(gòu)、第二子像素結(jié)構(gòu)、第三子像素結(jié)構(gòu)的發(fā)光顏色均不相同。
可選的,疊置單元中的任一子像素結(jié)構(gòu)的第二發(fā)光區(qū)域包括位于第一發(fā)光區(qū)域一側(cè)的第一子發(fā)光區(qū)域和位于第二子發(fā)光區(qū)域另一側(cè)的第二子發(fā)光區(qū)域;
可選的,子像素結(jié)構(gòu)的垂直投影的形狀為條形;
可選的,子像素結(jié)構(gòu)的垂直投影的面積相同。
可選的,n個子像素結(jié)構(gòu)疊置形成疊置單元,n≥2;疊置單元的垂直投影中,任一子像素結(jié)構(gòu)的垂直投影與疊置單元中相鄰子像素結(jié)構(gòu)的垂直投影的夾角的角度為180/n。
可選的,子像素結(jié)構(gòu)不透光;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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