[發明專利]像素結構、顯示基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 202110178480.0 | 申請日: | 2021-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN112750853B | 公開(公告)日: | 2022-09-20 |
| 發明(設計)人: | 李維善 | 申請(專利權)人: | 南昌廣恒電子中心(有限合伙) |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 330100 江西省南昌市*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 結構 顯示 顯示裝置 | ||
1.一種像素結構,其特征在于,包括:至少兩個子像素結構;
至少兩個所述子像素結構疊置形成疊置單元,且疊置單元的不同所述子像素結構的延伸方向的夾角大于0度小于180度;
疊置單元中任一所述子像素結構包括在所述像素結構厚度方向上,與所述疊置單元中其他所述子像素結構彼此重疊的第一發光區域,且所述疊置單元中的任一所述子像素結構包括在所述像素結構厚度方向上,與所述疊置單元中其他子像素結構無交疊的第二發光區域。
2.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于,所述疊置單元包括疊置的第一子像素結構和第二子像素結構;
所述第一子像素結構和所述第二子像素結構的發光顏色不同。
3.根據權利要求2所述的像素結構,其特征在于,還包括第三子像素結構,所述第三子像素結構與所述第一子像素結構、所述第二子像素結構疊置形成所述疊置單元;
所述第一子像素結構、所述第二子像素結構、所述第三子像素結構的發光顏色均不相同。
4.根據權利要求2所述的像素結構,還包括第三子像素結構,所述第三子像素結構與所述第一子像素結構、所述第二子像素結構的垂直投影均無交疊;
所述第一子像素結構、所述第二子像素結構、所述第三子像素結構的發光顏色均不相同。
5.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于,所述疊置單元中的任一所述子像素結構的第二發光區域包括位于第一發光區域一側的第一子發光區域和位于第二子發光區域另一側的第二子發光區域;
所述子像素結構的垂直投影的形狀為條形;
所述子像素結構的垂直投影的面積相同。
6.根據權利要求5所述的像素結構,其特征在于,n個所述子像素結構疊置形成所述疊置單元,n≥2;所述疊置單元的垂直投影中,任一所述子像素結構的垂直投影與所述疊置單元中相鄰所述子像素結構的垂直投影的夾角的角度為180/n。
7.根據權利要求5所述的像素結構,其特征在于,所述子像素結構不透光;
或者所述子像素結構透光;所述像素結構還包括遮光結構,所述遮光結構位于所述疊置單元的出光側,且所述遮光結構覆蓋所述疊置單元的各所述子像素結構的所述第一發光區域;所述遮光結構包括與所述疊置單元中各所述子像素結構一一對應的遮光單元,所述遮光單元位于對應的所述子像素結構的出光側,所述遮光單元覆蓋對應的所述子像素結構的所述第一發光區域。
8.一種顯示基板,其特征在于,包括多個權利要求1-7任一項所述的像素結構;
還包括承載背板,所述像素結構位于所述承載背板上。
9.根據權利要求8所述的顯示基板,其特征在于,所述承載背板上具有與所述像素結構中的疊置的子像素結構一一對應的凹槽,所述凹槽包括與所述疊置單元中各所述子像素結構一一對應的子凹槽,所述疊置的子像素結構位于對應的子凹槽內;不同所述子凹槽的深度不同,且不同所述子凹槽的延伸方向的夾角大于0度;
所述凹槽的深度大于所述疊置單元的各子像素結構的總厚度;
或者,所述子凹槽的深度大于對應的所述子像素結構的厚度。
10.根據權利要求9所述的顯示基板,其特征在于,所述疊置單元包疊置的第一子像素結構、第二子像素結構和第三子像素結構;
所述凹槽包括第一子凹槽、第二子凹槽和第三子凹槽,所述第一子像素結構位于所述第一子凹槽內,所述第二子像素結構位于所述第二子凹槽內,所述第三子像素結構位于第三子凹槽內;
所述第一子像素結構、所述第二子像素結構、所述第三子像素結構的發光顏色均不相同。
11.根據權利要求9所述的顯示基板,其特征在于,所述像素結構的出光方向指向所述承載背板;所述疊置單元中,發光效率越低的子像素結構對應的所述子凹槽的深度越深。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





