[發明專利]顯示面板中絕緣層的修補結構及修補方法在審
| 申請號: | 202110178077.8 | 申請日: | 2021-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN112992935A | 公開(公告)日: | 2021-06-18 |
| 發明(設計)人: | 陳仲仁 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;H01L21/768 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 遠明 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 絕緣 修補 結構 方法 | ||
本申請提供一種顯示面板中絕緣層的修補結構及修補方法,該修補結構及修補方法能對顯示面板的絕緣層中出現的通孔進行修補,防止顯示面板的絕緣層中的通孔使第二金屬層與第一金屬層之間積累的靜電擊穿第二金屬層與第一金屬層之間的半導體層,從而使得第二金屬層和第一金屬層之間發生短路,導致顯示面板部分不亮或出現黑屏現象,并且該修補結構及修補方法對通孔的形狀、大小和位置并無任何限制,通過該修補結構及修補方法,使顯示面板經修補后還可以繼續使用而不至于報廢,從而降低了成本。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板中絕緣層的修補結構及修補方法。
背景技術
在顯示面板的制作中,顯示面板在顯示區和非顯示區都需要使用氣相沉積成膜技術和有機涂布技術在過程中進行絕緣層150的制作,圖1為本申請實施例提供的顯示面板的俯視圖,如圖1所示,顯示面板在陣列基板110上逐層形成第一金屬層120、半導體層130、第二金屬層140和絕緣層150。
顯示面板在量產時,絕緣層150容易受到異物影響而產生通孔101,進而在對絕緣層150進行刻蝕使位于第二金屬層140中的薄膜晶體管的漏極裸露,以將漏極與絕緣層150上后續形成的像素電極層連接的過程中,由于絕緣層150中出現的通孔101而使絕緣層150部分缺失,導致刻蝕過程中本來需要通過絕緣層150與第二金屬層140絕緣的電荷部分由通孔101進入第二金屬層140,從而使第二金屬層140與第一金屬層120之間的電壓增加。隨著顯示面板長期使用,第二金屬層140中的電荷逐漸積累到一定程度時,使得第二金屬層140與第一金屬層120之間產生的靜電擊穿第二金屬層140和第一金屬層120之間的半導體層130,導致第二金屬層140和第一金屬層120之間發生短路。若該短路出現在顯示面板的顯示區,則會使得部分像素的薄膜晶體管開關異常而不亮;若該短路出現在顯示面板的非顯示區,例如圖2為本申請實施例提供的顯示面板的GOA區的剖視圖(圖2中未示出絕緣層150),如圖2所示,若GOA(陣列行驅動,Gate on Array)電路的絕緣層150出現通孔101,則會使得GOA電路中的部分GOA單元失效,從而導致顯示面板的時序發生錯亂,顯示面板出現黑屏問題。
因此,有必要提出一種顯示面板中絕緣層的修補結構及修補方法,以對絕緣層中出現的通孔進行修補,防止絕緣層中的通孔使顯示面板部分不亮或出現黑屏。
發明內容
為了解決上述問題,本申請實施例提供一種顯示面板中絕緣層的修補結構及修補方法,以對絕緣層中出現的通孔進行修補,防止絕緣層中的通孔使顯示面板部分不亮或出現黑屏問題。
第一方面,本申請實施例提供一種顯示面板中絕緣層的修補結構,該修補結構包括:
第一金屬層,設置于陣列基板上;
半導體層,設置于所述第一金屬層上;
第二金屬層,設置于所述半導體層上;
絕緣層,設置于所述第二金屬層上,且所述絕緣層中具有一通孔,所述通孔穿透所述絕緣層延伸至所述第二金屬層;
修補層,填充入所述通孔中,所述修補層由絕緣材料制成。
在一些實施例中,所述絕緣材料為亞克力材料、光阻材料、色阻材料、間隙控制材料和硅合成物中的一種或多種。
在一些實施例中,所述絕緣層包括位于所述顯示面板的顯示區的絕緣層,以及位于所述顯示面板的非顯示區的絕緣層。
在一些實施例中,所述修補層的表面與所述第二金屬層的表面平齊。
在一些實施例中,所述第一金屬層包括掃描線和薄膜晶體管的柵極,所述第二金屬層包括數據線、薄膜晶體管的源極以及薄膜晶體管的漏極。
第二方面,本申請實施例還提供一種顯示面板中絕緣層的修補方法,該修補方法包括:
在陣列基板上形成第一金屬層;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





