[發明專利]半導體器件及其形成方法

在審

• 申請號: 202110176458.2
• 申請日: 2021-02-09
• 公開（公告）號: CN113314553A
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 邱文智;余振華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

第一邏輯管芯，包括第一通孔；

圖像傳感器管芯，混合接合至所述第一邏輯管芯，所述第一邏輯管芯的前側面向所述圖像傳感器管芯的前側；以及

第二邏輯管芯，接合至所述第一邏輯管芯，所述第二邏輯管芯的前側面向所述第一邏輯管芯的后側，所述第二邏輯管芯包括電耦合至所述第一通孔的第一導電焊盤。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二邏輯管芯混合接合至所述第一邏輯管芯。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二邏輯管芯使用多個第一連接件接合至所述第一邏輯管芯。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括接合至所述第一邏輯管芯的存儲器管芯，所述存儲器管芯的前側面向所述第一邏輯管芯的后側。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述存儲器管芯混合接合至所述第一邏輯管芯。

6.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述存儲器管芯使用多個第二連接件接合至所述第一邏輯管芯。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括混合接合至所述第二邏輯管芯的存儲器管芯，所述存儲器管芯的前側面向所述第二邏輯管芯的后側。

8.一種半導體器件，包括：

第一邏輯管芯，所述第一邏輯管芯的前側包括第一絕緣層和第一導電焊盤，所述第一邏輯管芯的后側包括第二絕緣層和第二導電焊盤；

圖像傳感器管芯，接合至所述第一邏輯管芯，所述圖像傳感器管芯的前側包括第三絕緣層和第三導電焊盤，所述第三導電焊盤與所述第一導電焊盤物理接觸，所述第三絕緣層與所述第一絕緣層物理接觸；以及

第二邏輯管芯，接合至所述第一邏輯管芯，所述第二邏輯管芯的前側包括第四絕緣層和第四導電焊盤，所述第四絕緣層面向所述第二絕緣層。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述第二絕緣層與所述第四絕緣層物理接觸，并且其中，所述第二導電焊盤與所述第四導電焊盤物理接觸。

10.一種形成半導體器件的方法，包括：

將邏輯晶圓接合至圖像傳感器晶圓，所述邏輯晶圓的前側包括第一導電焊盤，所述圖像傳感器晶圓的前側包括第二導電焊盤，其中，將所述邏輯晶圓接合至所述圖像傳感器晶圓包括將所述第一導電焊盤直接接合至所述第二導電焊盤；

在所述邏輯晶圓的后側上形成第一再分布結構；以及

將邏輯管芯接合至所述第一再分布結構，所述邏輯管芯的前側包括第三導電焊盤，其中，所述第三導電焊盤電耦合至所述第一再分布結構。