[發(fā)明專利]單晶小硅塊拼接切割用的UV膠膜及制備方法和應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110174558.1 | 申請日: | 2021-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN112920751B | 公開(公告)日: | 2022-12-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄧舜;吳凱 | 申請(專利權(quán))人: | 常州時創(chuàng)能源股份有限公司 |
| 主分類號: | C09J163/10 | 分類號: | C09J163/10;C09J133/08;C09J7/30;C09J7/10;B28D5/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 213300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 單晶小硅塊 拼接 切割 uv 膠膜 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種單晶小硅塊拼接切割用的UV膠膜的應(yīng)用,用于單晶小硅塊的拼接切割工藝,其特征在于:所述UV膠膜包括由UV樹脂形成的UV樹脂層和分別粘貼在UV樹脂層兩側(cè)的離型層,所述UV樹脂由以下質(zhì)量份數(shù)的原料配制而成:30~45質(zhì)量份的基材定型膠,20~50質(zhì)量份的改性UV光固化樹脂,0.5~1質(zhì)量份的光引發(fā)劑,5~10質(zhì)量份的溶劑;
所述UV膠膜的應(yīng)用包括:首先將至少兩個單晶小硅塊沿厚度方向拼接成大硅塊;其次將所述UV膠膜粘貼于相鄰兩個單晶小硅塊之間的拼接縫及邊緣,實現(xiàn)無縫保護;再將大硅塊貼有所述UV膠膜的一面用環(huán)氧膠水粘貼到工件板上,固化后對大硅塊進行分線網(wǎng)切割,獲得硅片及位于拼接縫兩側(cè)的厚片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的UV膠膜的應(yīng)用,其特征在于:所述光引發(fā)劑選自2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦、1-羥基環(huán)己基苯基甲酮和2,4,6-三甲基苯甲酰基苯基膦酸乙酯中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的UV膠膜的應(yīng)用,其特征在于:所述溶劑選自甲苯、二甲苯、乙酸乙酯和丙酮中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的UV膠膜的應(yīng)用,其特征在于:所述UV膠膜的厚度為20~100μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的UV膠膜的應(yīng)用,其特征在于:所述UV膠膜的制備方法,包括以下步驟:
(1)制備UV樹脂:將30~45質(zhì)量份的基材定型膠,20~50質(zhì)量份的改性UV光固化樹脂和0.5~1質(zhì)量份的光引發(fā)劑混合,加入溶劑,調(diào)節(jié)粘度為2500~4500mPa·s,得UV樹脂;
(2)在離型層的一側(cè)涂布一層UV樹脂形成UV樹脂層,之后在所述UV樹脂層的表面再覆一層離型層,烘干得UV膠膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的UV膠膜的應(yīng)用,其特征在于:步驟(1)中,所述基材定型膠的制備方法如下:
將3mL苯乙烯、25mL丙烯酸異辛酯、15mL丙烯酸丁酯、15mL甲基丙烯酸甲酯、8mL醋酸乙烯酯、30mL甲苯、30mL二甲苯和30mL乙酸乙酯混合攪拌,滴加1.5mL BPO引發(fā)劑,80℃保溫攪拌30min得混合液Ⅰ;
將1mL苯乙烯、4mL丙烯酸異辛酯、6mL丙烯酸丁酯、4mL甲基丙烯酸甲酯、和3mL醋酸乙烯酯混合得混合液Ⅱ;
將混合液Ⅱ滴加至混合液Ⅰ,80℃保溫攪拌30min;
繼續(xù)滴加1.0mL BPO引發(fā)劑,80℃保溫攪拌30min,得混合液Ⅲ;
將15mL二甲苯、15mL甲苯和20mL乙酸乙酯混合液混合攪拌得混合液Ⅳ,將混合液Ⅳ以及4g萜烯樹脂加入到混合液Ⅲ中,80℃保溫攪拌2h,冷卻過濾得基材定型膠。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的UV膠膜的應(yīng)用,其特征在于:步驟(1)中,所述改性UV光固化樹脂的制備方法如下:
將40g對苯二酚、100mL丙烯酸和3g四丁基溴化銨混合溶解,得混合液A;
取200g環(huán)氧樹脂E51溶液,90℃回流脫水30min,持續(xù)攪拌下滴加混合液A,110℃恒溫反應(yīng)4h,測量酸值低于8mgKOH/g,降溫至80℃并加入50mL苯乙烯進行稀釋,得改性UV光固化樹脂。
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