[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法

在審

• 申請號: 202110168403.7
• 申請日: 2021-02-07
• 公開（公告）號: CN113284821A
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 金子美翔;有田毅彥;坂井隼人
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本發明提供基板處理裝置和基板處理方法。使用單一的冷機將分別設于多個處理模塊的多個溫度控制對象部獨立地調整為期望的溫度。一種基板處理裝置，其為處理基板的裝置，其中，該基板處理裝置具有：多個腔室，其收納所述基板；多個溫度控制對象部，其分別設于所述多個腔室；單一的冷機，其設為共用于所述多個溫度控制對象部，供給第1調溫介質和第2調溫介質；多個流量調整部，其分別與所述多個溫度控制對象部連接，且與所述冷機連接，構成為能夠調整所述第1調溫介質與所述第2調溫介質的流量比；以及控制部，其通過控制所述流量調整部而對每個所述溫度控制對象部獨立地調整溫度。

技術領域

本公開涉及基板處理裝置和基板處理方法。

背景技術

專利文獻1中公開有一種真空處理裝置，該真空處理裝置具有：多個處理單元；以及冷機，該冷機與在這些處理單元內的各個試樣臺內配置的制冷劑流路連結而供給調節成了期望的溫度的制冷劑并使其循環。該真空處理裝置包括一個循環路徑和另一路徑。一個循環路徑為如下這樣的循環的路徑：制冷劑自冷機噴出后分支并向多個試樣臺的制冷劑流路供給，分別自這些試樣臺的制冷劑流路流出并合流之后，返回冷機。另一循環路徑為如下這樣的循環的路徑：制冷劑自冷機噴出，繞過分支部、多個試樣臺以及合流部而返回冷機。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2016－162794號公報

發明內容

發明要解決的問題

本公開所涉及的技術使用單一的冷機而將分別設于多個處理模塊的多個溫度控制對象部獨立地調整為期望的溫度。

用于解決問題的方案

本公開的一技術方案為一種基板處理裝置，其為處理基板的裝置，其中，該基板處理裝置具有：多個腔室，其收納所述基板；多個溫度控制對象部，其分別設于所述多個腔室；單一的冷機，其設為共用于所述多個溫度控制對象部，供給第1調溫介質和第2調溫介質；多個流量調整部，其分別與所述多個溫度控制對象部連接，且與所述冷機連接，構成為能夠調整所述第1調溫介質與所述第2調溫介質的流量比；以及控制部，其通過控制所述流量調整部而對每個所述溫度控制對象部獨立地調整溫度。

發明的效果

根據本公開，能夠使用單一的冷機將分別設于多個處理模塊的多個溫度控制對象部獨立地調整為期望的溫度。

附圖說明

圖1是表示本實施方式所涉及的晶圓處理裝置的結構的概略的俯視圖。

圖2是表示處理模塊的結構的概略的縱剖視圖。

圖3是表示冷卻模塊的結構的概略的側視圖。

圖4是表示冷卻模塊的結構的概略的俯視圖。

圖5是表示每個處理模塊的腔室的溫度切換時刻的說明圖。

具體實施方式

在半導體裝置的制造工藝中，通過激勵處理氣體，從而生成等離子體，利用該等離子體處理半導體晶圓(以下稱作“晶圓”)。具體而言，在將晶圓保持于設于腔室的內部的載置臺的狀態下進行等離子體處理。

在進行等離子體處理時，需要根據蝕刻處理、成膜處理、擴散處理等目的的工藝來調整晶圓的溫度。于是，例如自冷機向載置臺供給冷卻介質，調整該載置臺的溫度。