[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110168012.5 | 申請日： | 2021-02-07 |
| 公開（公告）號： | CN113284875A | 公開（公告）日： | 2021-08-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 施信益 | 申請（專利權(quán)）人： | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 元件 及其 制備 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體元件，包括：
一導(dǎo)電圖案，設(shè)置在一半導(dǎo)體基底上；
一第一鈍化層，位在該導(dǎo)電圖案上；
一第二鈍化層，位在該第一鈍化層上；
一內(nèi)連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該導(dǎo)電圖案上，并位在該第一鈍化層與該第二鈍化層中；以及
一內(nèi)連接襯墊，設(shè)置在該內(nèi)連接結(jié)構(gòu)與該導(dǎo)電圖案之間并圍繞該內(nèi)連接結(jié)構(gòu)，其中該內(nèi)連接襯墊的多個內(nèi)側(cè)壁表面直接接觸該內(nèi)連接結(jié)構(gòu)，且在該內(nèi)連接襯墊的多個外側(cè)壁表面之間的一最大距離大于該導(dǎo)電圖案的一寬度。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中，該內(nèi)連接結(jié)構(gòu)的一寬度大于該導(dǎo)電圖案的該寬度。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中，該內(nèi)連接襯墊具有一突出部，直接接觸該導(dǎo)電圖案的一側(cè)壁表面。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件，還包括一側(cè)壁間隙子，設(shè)置在該導(dǎo)電圖案的該側(cè)壁表面上，其中該內(nèi)連接襯墊的該突出部直接接觸該側(cè)壁間隙子。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件，還包括一襯墊層，覆蓋該半導(dǎo)體基底與該側(cè)壁間隙子的一側(cè)壁表面，其中該襯墊層的一材料相同于該側(cè)壁間隙子的一材料。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其中，該第一鈍化層設(shè)置在該襯墊層上，并圍繞該內(nèi)連接襯墊，且該內(nèi)連接結(jié)構(gòu)與該內(nèi)連接襯墊從該第二鈍化層突出。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其中，該第一鈍化層由氧化硅所制，且該第二鈍化層、該襯墊層與該側(cè)壁間隙子由氮化硅所制。
8.一種半導(dǎo)體元件，包括：
一導(dǎo)電圖案，設(shè)置在一半導(dǎo)體基底上；
一第一鈍化層，位在該導(dǎo)電圖案上；
一第二鈍化層，位在該第一鈍化層上，其中該第二鈍化層包括一第一膜以及一第二膜，該第一膜位在該第一鈍化層上，該第二膜未在該第一膜上，且該第一膜與該第二膜由不同材料所制；
一內(nèi)連接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該導(dǎo)電圖案上；以及
一內(nèi)連接襯墊，設(shè)置在該內(nèi)連接結(jié)構(gòu)與該導(dǎo)電圖案之間并圍繞該內(nèi)連接結(jié)構(gòu)，其中該內(nèi)連接襯墊具有一突出部，直接接觸該導(dǎo)電圖案的一側(cè)壁表面。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，還包括：
一側(cè)壁間隙子，設(shè)置在該導(dǎo)電圖案的該側(cè)壁表面上；以及
一襯墊層，覆蓋該半導(dǎo)體基底與該側(cè)壁間隙子，其中該內(nèi)連接襯墊的該突出部、該導(dǎo)電圖案、該半導(dǎo)體基底以及該襯墊層包圍該側(cè)壁間隙子。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件，其中，該襯墊層的一最高點高于該內(nèi)連接襯墊的該突出部的一下表面。
11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件，其中，該第一鈍化層設(shè)置在襯墊層上，該第二鈍化層設(shè)置在該第一鈍化層上，該第一鈍化層與該第二鈍化層的該第一膜由不同材料所制，該第一鈍化層與該第二鈍化層緊鄰該內(nèi)連接襯墊的一側(cè)壁表面，且該內(nèi)連接襯墊的一上表面高于該第二鈍化層的一上表面。
12.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其中，該內(nèi)連接結(jié)構(gòu)具有一漸縮寬度，其是從一頂部到一底部漸縮。
13.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，另包含一導(dǎo)電墊，直接接觸該內(nèi)連接結(jié)構(gòu)與該內(nèi)連接襯墊。
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