[發(fā)明專利]半導(dǎo)體晶片及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110162394.0
• 申請日: 2021-02-05
• 公開（公告）號: CN113437059A
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 飯島純;中木寬
• 申請（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L27/11568;H01L27/11582;H01L21/60
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種半導(dǎo)體晶片，其包括：

第一襯底；

第一絕緣體，所述第一絕緣體提供在所述第一襯底上；

多個第一墊，所述多個第一墊提供在所述第一絕緣體中；

第二絕緣體，所述第二絕緣體提供在所述第一絕緣體上；

多個第二墊，所述多個第二墊提供在所述第二絕緣體中的所述第一墊上；

堆疊膜，所述堆疊膜提供在所述第二絕緣體中，交替地包含多個第一絕緣層及多個第二絕緣層；及

第二襯底，所述第二襯底提供在所述第二絕緣體上，

其中

所述第一絕緣體及所述第二絕緣體在所述第一絕緣體的邊緣面與所述第二絕緣體的邊緣面之間相互連接，且

所述第二絕緣體在所述第一及第二絕緣體的所述邊緣面處介入在所述第一絕緣體與所述堆疊膜之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片，其中所述第一絕緣體的所述邊緣面及所述第二絕緣體的所述邊緣面是所述第一絕緣體的修整面及所述第二絕緣體的修整面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片，其中所述堆疊膜包含：

第一堆疊膜，所述第一堆疊膜交替地包含所述第一絕緣層及所述第二絕緣層，及

第二堆疊膜，所述第二堆疊膜交替地包含所述第一絕緣層及所述第二絕緣層，且經(jīng)由所述第二絕緣體的一部分提供在所述第一堆疊膜之下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片，其進一步包括多個電極層，所述多個電極層的提供的高度與所述多個所述第二絕緣層的高度相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片，其中所述第二襯底的邊緣面提供在所述第二絕緣體的所述邊緣面上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體晶片，其中所述第二襯底的所述邊緣面為所述第二襯底的修整面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片，其進一步包括：

存儲單元陣列，所述存儲單元陣列提供在所述第一襯底上方的所述第二絕緣體中，且電連接到第二墊，及

控制電路，所述控制電路提供在所述第一襯底上的所述第一絕緣體中，電連接到第一墊，且經(jīng)配置以控制所述存儲單元陣列。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片，其中所述第一絕緣層包含硅及氧，且所述第二絕緣層包含硅及氮。

9.一種半導(dǎo)體晶片制造方法，其包括：

在第一襯底上形成第一絕緣體；

在所述第一絕緣體中形成多個第一墊；

在第二襯底上形成堆疊膜，所述堆疊膜交替地包含多個第一絕緣層及多個第二絕緣層，及第二絕緣體；

在所述第二絕緣體中形成多個第二墊；

通過將形成在所述第一襯底上的所述第一墊及所述第一絕緣體分別接合到形成在所述第二襯底上的所述第二墊及所述第二絕緣體，將所述第二墊及所述第二絕緣體分別安置在所述第一墊及所述第一絕緣體上；及

修整所述第一及第二絕緣體，

其中

修整所述第一及第二絕緣體，使得所述第一絕緣體及所述第二絕緣體在所述第一絕緣體的邊緣面與所述第二絕緣體的邊緣面之間相互接觸，且

修整所述第一及第二絕緣體，使得所述第二絕緣體在所述第一及第二絕緣體的所述邊緣面處介入在所述第一絕緣體與所述堆疊膜之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體晶片制造方法，其中修整所述第一及第二絕緣體，使得所述堆疊膜包含：

第一堆疊膜，所述第一堆疊膜交替地包含所述第一絕緣層及所述第二絕緣層，及

第二堆疊膜，所述第二堆疊膜交替地包含所述第一絕緣層及所述第二絕緣層，且經(jīng)由所述第二絕緣體的一部分提供在所述第一堆疊膜之下。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體晶片制造方法，其進一步包括用多個電極層替換所述多個第二絕緣層的部分。