[發明專利]一種晶圓往復循環清洗設備

在審

• 申請號: 202110160903.6
• 申請日: 2021-02-05
• 公開（公告）號: CN112992731A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 周志剛;王靜強;徐福興;黃錫欽;陳亮
• 申請（專利權）人: 昆山基侑電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種晶圓往復循環清洗設備，包括清洗室、清洗組件、第一輸送組件和第二輸送組件，清洗室內部設置有上清洗室和下清洗室，上清洗室的側部設置有第一進口，下清洗室的側部設置有第二進口，第一輸送組件包括兩條第一伺服直線模組和第一輸送網板，兩條第一伺服直線模組從第一進口穿過并于上清洗室的相對兩側內壁設置，第一輸送網板與兩條第一伺服直線模組連接，且上清洗室的下部設置有第一接水箱，第二輸送組件包括兩條第二伺服直線模組和第二輸送網板，兩條第二伺服直線模組從第二進口穿過并于上清洗室的相對兩側內壁設置，本發明能對較多的晶圓片進行同時清洗，并且方便操作人員進行連續上料，清洗效率較高，且清洗效果較佳。

技術領域

本發明涉及清洗設備技術領域，尤其涉及一種晶圓往復循環清洗設備。

背景技術

隨著半導體器件集成度的不斷提高，金屬互連技術已廣泛應用在超大規模集成電路中。金屬互連結構的形成過程簡述如下：首先，在晶圓的介質層上形成通孔；然后，沉積金屬層，金屬層填滿通孔并覆蓋在介質層的整個表面上；最后，采用化學機械研磨(CMP)將介質層表面的金屬層研磨去除，僅保留通孔內的金屬，從而形成金屬互連結構。根據不同的工藝需求，金屬可以選用銅、鎢等。

CMP工藝結束后，通常還要對介質層表面進行清洗，目的是將研磨過程中殘留在介質層表面的顆粒清洗去除，防止這些顆粒結晶在介質層表面而難以去除。

但是現有技術中的清洗設備每次只能對單個晶圓進行清洗，效率相對較慢，降低了企業的生產效率。

發明內容

發明目的：為了解決背景技術中存在的不足，所以本發明公開了一種晶圓往復循環清洗設備。

技術方案：一種晶圓往復循環清洗設備，包括清洗室、清洗組件、第一輸送組件和第二輸送組件，所述清洗室內部設置有上清洗室和下清洗室，所述上清洗室的側部設置有第一進口，所述下清洗室的側部設置有第二進口，所述第一輸送組件包括兩條第一伺服直線模組和第一輸送網板，所述兩條第一伺服直線模組從第一進口穿過并于上清洗室的相對兩側內壁設置，所述第一輸送網板與兩條第一伺服直線模組連接，且所述上清洗室的下部設置有第一接水箱，所述第二輸送組件包括兩條第二伺服直線模組和第二輸送網板，所述兩條第二伺服直線模組從第二進口穿過并于上清洗室的相對兩側內壁設置，所述第二輸送網板與兩條第二伺服直線模組連接，且所述上清洗室的下部設置有第二接水箱，所述第一輸送網板上方和第二輸送網板的上方設置有數組定位柱，所述清洗組件包括第一高壓清洗裝置和第二高壓清洗裝置，所述第一高壓清洗裝置設置在上清洗室的頂部，所述第二高壓清洗裝置設置在下清洗室的頂部。

作為本發明的一種優選方式，所述上清洗室和下清洗室是由間層隔板隔開。

作為本發明的一種優選方式，所述第一進口和第二進口為同側設置。

作為本發明的一種優選方式，所述第一接水箱和第二接水箱的底部通過分歧管路外接有排水泵。

作為本發明的一種優選方式，所述第一高壓清洗裝置和第二高壓清洗裝置均外接有清洗液存儲箱，且所述第一高壓清洗裝置和第二高壓清洗裝置均包括有數個高壓噴頭。

作為本發明的一種優選方式，每組所述定位柱的數量均為四個。

本發明實現以下有益效果：

本發明能對較多的晶圓片進行同時清洗，并且方便操作人員進行連續上料，清洗效率較高，且清洗效果較佳。

附圖說明

此處的附圖被并入說明書中并構成本說明書的一部分，示出了符合本公開的實施例，并于說明書一起用于解釋本公開的原理。

圖1為本發明公開的整體結構示意圖。

圖2為本發明公開的第一輸送網板結構示意圖。

具體實施方式