[發明專利]一種Micro LED修補裝置及其使用方法在審
| 申請號: | 202110150470.6 | 申請日: | 2021-02-03 |
| 公開(公告)號: | CN112908923A | 公開(公告)日: | 2021-06-04 |
| 發明(設計)人: | 莊文榮;盧敬權;鐘宇宏;林子欽;黃志強;孫明 | 申請(專利權)人: | 東莞市中麒光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 史翠 |
| 地址: | 523000 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 micro led 修補 裝置 及其 使用方法 | ||
1.一種Micro LED修補裝置,其特征在于,包括:
載板;
設置在載板一面的修補層,所述修補層遠離所述載板的一面粘連有LED芯片陣列;
激光發射器,用于發出激光照射所述修補層,并將所述修補層上的LED芯片固晶于待修補基板上;
其中,所述修補層被激光照射時,其被照射部位膨脹,并朝遠離所述載板的方向凸起。
2.根據權利要求1所述的Micro LED修補裝置,其特征在于,所述修補層被激光照射時,分解出氣體膨脹。
3.根據權利要求1所述的Micro LED修補裝置,其特征在于,所述修補層包括設置在所述載板一面的膨脹層和設置在所述膨脹層遠離所述載板的一面的粘連層,所述粘連層粘連LED芯片陣列;
所述膨脹層被激光照射時,分解出氣體膨脹。
4.根據權利要求3所述的Micro LED修補裝置,其特征在于,所述粘連層為雙面膠。
5.根據權利要求1至4中任一所述的Micro LED修補裝置,其特征在于,所述修補層包括呈網格狀分布的修補塊陣列,所述修補塊遠離所述載板的一面粘連LED芯片。
6.根據權利要求5所述的Micro LED修補裝置,其特征在于,所述激光發射器包括第一激光發射器和第二激光發射器,所述第一激光發射器用于照射所述修補層,使所述修補層膨脹,所述第二激光發射器用于將所述修補層上的LED芯片固晶于待修補基板上。
7.一種如權利要求1至6中任一所述的Micro LED修補裝置的使用方法,其特征在于,包括:
在修補層遠離所述載板的一面粘連LED芯片陣列;
將載板移至待修補基板上方,使待修補基板上LED芯片缺失點位置對應所述修補層上的LED芯片位置;
利用激光照射所述修補層上與所述LED芯片缺失點位置相對應的部位,所述修補層被照射部位膨脹,朝遠離所述載板的方向凸起,并將所述修補層被照射部位上的LED芯片固晶于所述LED芯片缺失點位置。
8.根據權利要求7所述的使用方法,其特征在于,在所述利用激光照射所述修補層上與所述LED芯片缺失點位置相對應的部位之前,還包括:
檢測確認待修補基板上LED芯片缺失點位置。
9.根據權利要求7所述的使用方法,其特征在于,所述利用激光照射所述修補層上與所述LED芯片缺失點位置相對應的部位之前,還包括:
檢測確認待修補基板上LED芯片壞點位置;
移除壞點位置上的LED芯片,并將該壞點位置記為LED芯片缺失點位置。
10.根據權利要求7所述的使用方法,其特征在于,所述將載板移至待修補基板上方,使待修補基板上LED芯片缺失點位置對應所述修補層上的LED芯片位置之后,包括:
發射兩組激光,一組用于照射所述修補層上與所述LED芯片缺失點位置相對應的部位,另一組用于將所述修補層被照射部位上的LED芯片固晶于所述LED芯片缺失點位置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





