[發明專利]一種適應于光刻機晶圓的尋邊機構

在審

• 申請號: 202110144324.2
• 申請日: 2021-02-02
• 公開（公告）號: CN112820670A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 鐘敏
• 申請（專利權）人: 上海圖雙精密裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/68;G03F7/20
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 沈棟棟

本發明公開了一種適應于光刻機晶圓的尋邊機構，涉及到半導體技術領域，包括底板、底座、支撐套筒、晶圓支撐平臺、升降環、晶圓限位機構、第一晶圓清洗機構、第二晶圓清洗機構、驅動機構和晶圓檢測單元，其中，底座設于底板上，底座的上端設有支撐套筒，支撐套筒的上端設有晶圓支撐平臺，晶圓支撐平臺上設有第一晶圓清洗機構，支撐套筒的外緣設有升降環，升降環的外緣設有若干晶圓限位機構，晶圓支撐平臺位于若干晶圓限位機構之間形成的區域內，底座的外緣設有驅動機構，驅動機構上設有晶圓檢測單元，底座的一側設有第二晶圓清洗機構。其能夠在晶圓不轉動的情況下實現對不同尺寸的晶圓進行定位、尋邊操作，同時也能夠對晶圓的上下表面進行清洗。

技術領域

本發明涉及到半導體技術領域，尤其涉及到一種適應于光刻機晶圓的尋邊機構。

背景技術

半導體行業往往通過缺口(notch)來確定硅片的位置，實現硅片對邊。缺口(Notch)是指特意在晶圓(wafer)上形成的一個缺角。

現有的定位尋邊裝置一般都是放在真空吸盤上，通過真空吸盤控制晶圓旋轉，達到尋邊目的，然而晶圓旋轉過程中易產生振動，導致晶圓出現損傷，其次晶圓在傳輸至定位尋邊裝置上時，需要經過多重傳遞工序，易導致晶圓表面粘附到雜質、顆粒物等，影響對后續晶圓的處理。

發明內容

本發明的目的在于提供一種適應于光刻機晶圓的尋邊機構，用于解決上述技術問題。

本發明采用的技術方案如下：

一種適應于光刻機晶圓的尋邊機構，包括底板、底座、支撐套筒、晶圓支撐平臺、升降環、晶圓限位機構、第一晶圓清洗機構、第二晶圓清洗機構、驅動機構和晶圓檢測單元，其中，底座設于所述底板上，所述底座的上端設有所述支撐套筒，所述支撐套筒的上端設有所述晶圓支撐平臺，所述晶圓支撐平臺上設有所述第一晶圓清洗機構，所述支撐套筒的外緣設有所述升降環，所述升降環的外緣設有若干所述晶圓限位機構，所述晶圓支撐平臺位于若干所述晶圓限位機構之間形成的區域內，所述底座的外緣設有所述驅動機構，所述驅動機構上設有所述晶圓檢測單元，所述底座的一側設有所述第二晶圓清洗機構。

作為優選，每一所述晶圓限位機構均包括第一伸縮桿和第二伸縮桿，其中，第一伸縮桿的一端與升降環的外緣連接，第二伸縮桿的一端與第一伸縮桿的另一端連接，且第一伸縮桿與第二伸縮桿垂直，第二伸縮桿位于第一伸縮桿的上端。

作為優選，所述晶圓檢測單元包括伸縮臂、支桿和尋邊傳感器，其中，伸縮臂的一端與所述驅動機構連接，所述支桿與所述伸縮臂的另一端連接并與所述伸縮臂垂直，在所述支桿的上端設有所述尋邊傳感器，且所述尋邊傳感器由上至下向靠近所述晶圓支撐平臺方向傾斜設置。

作為進一步的優選，所述尋邊傳感器的傾斜角度為45°。

作為優選，所述第一晶圓清洗機構包括第一氮氣噴頭和第二氮氣噴頭，其中，所述晶圓支撐平臺的上表面開設有安裝孔和安裝槽，其中，安裝槽呈環狀，且安裝槽設于安裝孔的外緣，第一氮氣噴頭設有安裝孔內，若干第二氮氣噴頭均勻的設于安裝槽內。

作為進一步的優選，所述第一氮氣噴頭豎直設置，若干所述第二氮氣噴頭均右下至上向遠離第一氮氣噴頭的方向傾斜設置，且每一所述第二氮氣噴頭的傾斜角度均為45°。

作為進一步的優選，所述第一氮氣噴頭以及每一所述第二氮氣噴頭的上表面分別與所述晶圓支撐平臺的上表面齊平。

作為進一步的優選，還包括氮氣輸送管，其中，所述晶圓支撐平臺的內部設有氮氣緩沖腔，所述氮氣輸送管設于所述支撐套筒內，且所述氮氣輸送管與所述氮氣緩沖腔連通，所述氮氣緩沖腔分別與所述第一氮氣噴頭和若干所述第二氮氣噴頭連通。

作為優選，所述第二晶圓清洗機構包括氮氣輸送管道和噴頭機構，其中，所述氮氣輸送管道的一端與所述底板固定連接，所述氮氣輸送管道的另一端延伸至所述晶圓支撐平臺的上側，且所述噴頭機構安裝在所述氮氣輸送管道的另一端。