[發(fā)明專利]一種適應(yīng)于光刻機(jī)晶圓的尋邊機(jī)構(gòu)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110144324.2
• 申請(qǐng)日: 2021-02-02
• 公開（公告）號(hào): CN112820670A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鐘敏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海圖雙精密裝備有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/68;G03F7/20
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 沈棟棟

1.一種適應(yīng)于光刻機(jī)晶圓的尋邊機(jī)構(gòu)，其特征在于，包括底板、底座、支撐套筒、晶圓支撐平臺(tái)、升降環(huán)、晶圓限位機(jī)構(gòu)、第一晶圓清洗機(jī)構(gòu)、第二晶圓清洗機(jī)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和晶圓檢測(cè)單元，其中，底座設(shè)于所述底板上，所述底座的上端設(shè)有所述支撐套筒，所述支撐套筒的上端設(shè)有所述晶圓支撐平臺(tái)，所述晶圓支撐平臺(tái)上設(shè)有所述第一晶圓清洗機(jī)構(gòu)，所述支撐套筒的外緣設(shè)有所述升降環(huán)，所述升降環(huán)的外緣設(shè)有若干所述晶圓限位機(jī)構(gòu)，所述晶圓支撐平臺(tái)位于若干所述晶圓限位機(jī)構(gòu)之間形成的區(qū)域內(nèi)，所述底座的外緣設(shè)有所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)上設(shè)有所述晶圓檢測(cè)單元，所述底座的一側(cè)設(shè)有所述第二晶圓清洗機(jī)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的適應(yīng)于光刻機(jī)晶圓的尋邊機(jī)構(gòu)，其特征在于，每一所述晶圓限位機(jī)構(gòu)均包括第一伸縮桿和第二伸縮桿，其中，第一伸縮桿的一端與升降環(huán)的外緣連接，第二伸縮桿的一端與第一伸縮桿的另一端連接，且第一伸縮桿與第二伸縮桿垂直，第二伸縮桿位于第一伸縮桿的上端。

3.如權(quán)利要求1所述的適應(yīng)于光刻機(jī)晶圓的尋邊機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述晶圓檢測(cè)單元包括伸縮臂、支桿和尋邊傳感器，其中，伸縮臂的一端與所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)連接，所述支桿與所述伸縮臂的另一端連接并與所述伸縮臂垂直，在所述支桿的上端設(shè)有所述尋邊傳感器，且所述尋邊傳感器由上至下向靠近所述晶圓支撐平臺(tái)方向傾斜設(shè)置。

4.如權(quán)利要求3所述的適應(yīng)于光刻機(jī)晶圓的尋邊機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述尋邊傳感器的傾斜角度為45°。

5.如權(quán)利要求1所述的適應(yīng)于光刻機(jī)晶圓的尋邊機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述第一晶圓清洗機(jī)構(gòu)包括第一氮?dú)鈬婎^和第二氮?dú)鈬婎^，其中，所述晶圓支撐平臺(tái)的上表面開設(shè)有安裝孔和安裝槽，其中，安裝槽呈環(huán)狀，且安裝槽設(shè)于安裝孔的外緣，第一氮?dú)鈬婎^設(shè)有安裝孔內(nèi)，若干第二氮?dú)鈬婎^均勻的設(shè)于安裝槽內(nèi)。

6.如權(quán)利要求5所述的適應(yīng)于光刻機(jī)晶圓的尋邊機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述第一氮?dú)鈬婎^豎直設(shè)置，若干所述第二氮?dú)鈬婎^均右下至上向遠(yuǎn)離第一氮?dú)鈬婎^的方向傾斜設(shè)置，且每一所述第二氮?dú)鈬婎^的傾斜角度均為45°。

7.如權(quán)利要求6所述的適應(yīng)于光刻機(jī)晶圓的尋邊機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述第一氮?dú)鈬婎^以及每一所述第二氮?dú)鈬婎^的上表面分別與所述晶圓支撐平臺(tái)的上表面齊平。

8.如權(quán)利要求5所述的適應(yīng)于光刻機(jī)晶圓的尋邊機(jī)構(gòu)，其特征在于，還包括氮?dú)廨斔凸埽渲校鼍A支撐平臺(tái)的內(nèi)部設(shè)有氮?dú)饩彌_腔，所述氮?dú)廨斔凸茉O(shè)于所述支撐套筒內(nèi)，且所述氮?dú)廨斔凸芘c所述氮?dú)饩彌_腔連通，所述氮?dú)饩彌_腔分別與所述第一氮?dú)鈬婎^和若干所述第二氮?dú)鈬婎^連通。

9.如權(quán)利要求1所述的適應(yīng)于光刻機(jī)晶圓的尋邊機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述第二晶圓清洗機(jī)構(gòu)包括氮?dú)廨斔凸艿篮蛧婎^機(jī)構(gòu)，其中，所述氮?dú)廨斔凸艿赖囊欢伺c所述底板固定連接，所述氮?dú)廨斔凸艿赖牧硪欢搜由熘了鼍A支撐平臺(tái)的上側(cè)，且所述噴頭機(jī)構(gòu)安裝在所述氮?dú)廨斔凸艿赖牧硪欢恕?/p>

10.如權(quán)利要求9所述的適應(yīng)于光刻機(jī)晶圓的尋邊機(jī)構(gòu)，其特征在于，所述噴頭機(jī)構(gòu)包括第一氮?dú)鈬娮旌偷诙獨(dú)鈬娮欤渲校龅谝坏獨(dú)鈬娮煸O(shè)于所述噴頭機(jī)構(gòu)的中部，所述第一氮?dú)鈬娮斓耐饩壴O(shè)有若干所述第二氮?dú)鈬娮?，其中，所述第一氮?dú)鈬娮炫c所述第一氮?dú)鈬婎^相正對(duì)，每一所述第二氮?dú)鈬娮旆謩e與一所述第二氮?dú)鈬婎^相正對(duì)。