[發(fā)明專(zhuān)利]一種高對(duì)比度的LED顯示器件及其制造方法和模組

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110143048.8
• 申請(qǐng)日: 2021-02-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112802944A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李宗濤;丁鑫銳;李家聲;湯勇;余彬海;李杰鑫
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/48
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/48;H01L33/52;H01L33/62;H01L33/44;H01L25/075;H01L27/15
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 常柯陽(yáng)

1.一種高對(duì)比度的LED顯示器件，其特征在于，包括：

支架，包括基板和設(shè)置在所述基板上的電路線路，所述電路線路包括正面電路線路和背面電路線路，所述正面電路線路上設(shè)有固晶區(qū)；

至少一個(gè)局部發(fā)光芯片，設(shè)置在所述固晶區(qū)上，包括局部發(fā)光區(qū)和吸光區(qū)，所述局部發(fā)光區(qū)設(shè)置于所述局部發(fā)光芯片的邊緣位置上；

封裝膠，用于包住所述局部發(fā)光芯片，所述封裝膠為透明封裝膠體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高對(duì)比度的LED顯示器件，其特征在于，所述固晶區(qū)上設(shè)置有三個(gè)所述局部發(fā)光芯片，組成RGB LED芯片組，所述三個(gè)所述局部發(fā)光芯片對(duì)應(yīng)的發(fā)光區(qū)緊密排布，形成集中發(fā)光區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高對(duì)比度的LED顯示器件，其特征在于，所述集中發(fā)光區(qū)位于所述基板的中心位置處。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高對(duì)比度的LED顯示器件，其特征在于，所述三個(gè)所述局部發(fā)光芯片對(duì)應(yīng)的發(fā)光區(qū)之間的間隔小于300μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高對(duì)比度的LED顯示器件，其特征在于，所述集中發(fā)光區(qū)的周?chē)俏鈪^(qū)，所述吸光區(qū)采用碳的丙烯酸樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、硅樹(shù)脂和氰基丙烯酸酯樹(shù)脂中的一種或幾種混合制成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高對(duì)比度的LED顯示器件，其特征在于，所述正面電路線路的表面上除所述固晶區(qū)外設(shè)置有黑色油墨層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高對(duì)比度的LED顯示器件，其特征在于，所述基板上設(shè)置有導(dǎo)電孔，以用于連接所述正面電路線路和所述背面電路線路。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高對(duì)比度的LED顯示器件，其特征在于，所述局部發(fā)光芯片與所述支架之間還設(shè)有固晶膠，以起固定芯片或?qū)щ娮饔谩?/p>

9.一種高對(duì)比度的多像素LED顯示器件封裝模組，其特征在于，由多個(gè)LED顯示器件組成，所述LED顯示器件采用如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的一種高對(duì)比度的LED顯示器件來(lái)實(shí)現(xiàn)。

10.一種高對(duì)比度LED顯示器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

制作局部發(fā)光芯片：將整版芯片固定，制備局部發(fā)光區(qū)，所述局部發(fā)光區(qū)設(shè)置于單個(gè)芯片的邊緣位置上，采用劃片的方式將整版芯片切割為單個(gè)芯片，獲得局部發(fā)光芯片；

固晶：將所述局部發(fā)光芯片轉(zhuǎn)移至固晶區(qū)；

封膠：在所述局部發(fā)光芯片及基板上涂覆封裝膠，所述封裝膠為透明封裝膠體。