[發(fā)明專利]一種制備氮化鈦薄膜及其磁控濺射靶材的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110141709.3
• 申請(qǐng)日: 2021-02-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112962058A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊永添;蔡蓁;吳健;許積文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣州市尤特新材料有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/06
• 分類號(hào): C23C14/06;C23C14/35;C23C4/10;C23C4/134;C23C4/137
• 代理公司: 廣東科信啟帆知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44710
• 代理人: 吳少東

1.一種制備氮化鈦薄膜及其磁控濺射靶材的方法，其特征在于，步驟包括：

a.氮化鈦粉體篩分獲得氮化鈦顆粒；

b.氮化鈦顆粒進(jìn)行脫氧處理；

c.氮化鈦顆粒進(jìn)行氮化處理；

d.將氮化鈦顆粒經(jīng)等離子體熱噴涂于基底材料，獲得氮化鈦磁控濺射靶材；

e.氮化鈦磁控濺射靶材在氬氣氛圍中進(jìn)行磁控濺射鍍膜，在產(chǎn)品表面獲得氮化鈦薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述的制備氮化鈦薄膜及其磁控濺射靶材的方法，其特征在于：步驟a中氮化鈦顆粒的粒度為100～400目。

3.如權(quán)利要求1所述的制備氮化鈦薄膜及其磁控濺射靶材的方法，其特征在于：步驟b所述脫氧處理步驟包括：氮化鈦顆粒在氫氣與氬氣(或氮?dú)?的混合氣體中進(jìn)行脫氧處理。

4.如權(quán)利要求3所述的制備氮化鈦薄膜及其磁控濺射靶材的方法，其特征在于：脫氧處理的氣體中氫氣的含量為5％～20％。

5.如權(quán)利要求3所述的制備氮化鈦薄膜及其磁控濺射靶材的方法，其特征在于：脫氧處理的溫度為300～600℃。

6.如權(quán)利要求1所述的制備氮化鈦薄膜及其磁控濺射靶材的方法，其特征在于：步驟c中所述氮化處理步驟包括：氮化鈦顆粒在氮?dú)夥罩羞M(jìn)行氮化處理。

7.如權(quán)利要求1所述的制備氮化鈦薄膜及其磁控濺射靶材的方法，其特征在于：步驟c中氮化處理的溫度為400～800℃。

8.如權(quán)利要求1所述的制備氮化鈦薄膜及其磁控濺射靶材的方法，其特征在于：步驟d中，將氮化鈦陶瓷顆粒經(jīng)等離子體熱噴涂于基底材料，獲得磁控濺射靶材的工藝包括：

d-1：對(duì)靶材基底進(jìn)行表面粗糙化；

d-2：對(duì)表面粗糙化的靶材基底打底處理；

d-3：在打底后的靶材基底表面進(jìn)行等離子噴涂，獲得磁控濺射靶材。

9.如權(quán)利要求8所述的制備氮化鈦薄膜及其磁控濺射靶材的方法，其特征在于：等離子噴涂在真空氮?dú)猸h(huán)境中進(jìn)行噴涂，冷卻氣體為氮?dú)狻?/p>

10.如權(quán)利要求1所述的制備氮化鈦薄膜及其磁控濺射靶材的方法，其特征在于：步驟a中采用超聲篩選氮化鈦顆粒。