[發(fā)明專利]一種氮化硅基復(fù)相導(dǎo)電陶瓷的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110140908.2
• 申請(qǐng)日: 2021-02-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112851365B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張偉儒;張晶;孫峰;董廷霞;李澤坤;李洪浩;徐金夢(mèng);荊赫;呂沛遠(yuǎn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中材高新氮化物陶瓷有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C04B35/584
• 分類(lèi)號(hào): C04B35/584;C04B35/64
• 代理公司: 北京高沃律師事務(wù)所 11569
• 代理人: 趙曉琳

1.一種氮化硅基復(fù)相導(dǎo)電陶瓷的制備方法，包括以下步驟：

（1）將氮化硅、導(dǎo)電相以及燒結(jié)助劑混合后通過(guò)成型，得到坯體；所述燒結(jié)助劑包括稀土氧化物和金屬氧化物，所述金屬氧化物包括氧化鋁或氧化鎂；所述坯體中氮化硅的質(zhì)量含量為40~60%，導(dǎo)電相的質(zhì)量含量為30~50%，金屬氧化物的質(zhì)量含量為1~5%，稀土氧化物的質(zhì)量含量為2~10%；所述氮化硅中β-Si₃N₄的質(zhì)量含量為≥95%，所述氮化硅的平均粒徑D50≤1.0μm；

（2）將所述步驟（1）得到的坯體依次進(jìn)行高溫微波燒結(jié)和低溫微波燒結(jié)，得到氮化硅基復(fù)相導(dǎo)電陶瓷；所述高溫微波燒結(jié)的溫度為1500~1700℃，所述低溫微波燒結(jié)的溫度為1400~1600℃，所述高溫微波燒結(jié)和低溫微波燒結(jié)的溫度差為50~150℃。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電相包括TiN、TiC、TiCN、TiB₂、ZrN、ZrC、ZrB₂或MoSi₂。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述稀土氧化物包括氧化釔、氧化鑭或氧化鈰。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中坯體的原料還包括微波吸收劑；所述微波吸收劑包括碳化硅或氧化鋯。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中成型的方式包括干壓、冷等靜壓、注塑、注凝和注漿中的一種或幾種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中高溫微波燒結(jié)的保溫時(shí)間為0~30min；所述低溫微波燒結(jié)的保溫時(shí)間為10~120mim。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中高溫微波燒結(jié)的升溫速率為2~30℃/min，高溫微波燒結(jié)后降溫至所述低溫微波燒結(jié)的溫度的降溫速率為30~80℃/min。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中的高溫微波燒結(jié)和低溫微波燒結(jié)均在氮?dú)鈿夥罩羞M(jìn)行，所述氮?dú)獾牧髁开?dú)立地為0.5~5L/min。