[發明專利]工作臺裝置、供電機構和處理裝置在審
| 申請號: | 202110140802.2 | 申請日: | 2021-02-02 |
| 公開(公告)號: | CN113327881A | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發明(設計)人: | 武田聰 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67;C23C14/34;C23C14/50 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;劉芃茜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 工作臺 裝置 供電 機構 處理 | ||
本發明提供為在工作臺的下方具有冷卻部的結構,并且具有不易發生對靜電吸盤的供電異常的容易安裝的供電機構的工作臺裝置、供電機構和處理裝置。工作臺裝置包括:具有銅制的主體部和靜電吸盤的工作臺;設置于工作臺的下方的冷卻部;以及從設置于工作臺的下方的直流電源對靜電吸盤的電極進行供電的供電機構,供電機構包括:在工作臺的外周彼此隔開間隔地設置的一對端子部;具有一對金屬棒的第1供電線,該一對金屬棒的一端連接到直流電源,向工作臺側延伸,且彼此隔開間隔地設置;具有一對金屬棒的第2供電線,該一對金屬棒的一端連接到一對端子部,且彼此隔開間隔地設置;以及連接部,其將第1供電線的金屬棒與第2供電線的金屬棒連接。
技術領域
本發明涉及工作臺裝置、供電機構和處理裝置。
背景技術
在電子器件的制造工序中,有時進行極低溫下的成膜處理,在專利文獻1中公開了在這樣的極低溫處理中用于吸附保持基片的靜電吸盤。
在專利文獻1中,在工作臺的外周部設置端子,從外部的電源經由該端子對靜電吸盤的吸附電極供電。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2015-226010號公報
發明內容
發明要解決的技術問題
本發明提供為在工作臺的下方具有冷卻部的結構,并且具有不易產生對靜電吸盤的供電異常的容易安裝的供電機構的工作臺裝置、供電機構和處理裝置。
用于解決技術問題的技術方案
本發明的一個方式的工作臺裝置能夠在處理基片的處理裝置的保持為真空的處理容器內保持基片,所述工作臺裝置包括:工作臺,其具有銅制的主體部和設置于所述主體部之上的靜電吸盤,所述靜電吸盤內置吸附電極并對基片進行吸附保持;設置于所述工作臺的下方的冷卻部,其對所述工作臺進行冷卻;以及供電機構,其從設置于所述工作臺的下方的直流電源對所述吸附電極進行供電,所述供電機構包括:在所述工作臺的外周彼此隔開間隔地設置的一對端子部,其具有分別與所述吸附電極的正極側和負極側連接的連接部;具有一對金屬棒的第1供電線,所述一對金屬棒的一端分別連接到所述直流電源的正極側和負極側,向所述工作臺側延伸,且彼此隔開間隔地設置;具有一對金屬棒的第2供電線,所述一對金屬棒的一端分別連接到所述一對端子部,且彼此隔開間隔地設置;以及連接部,其將所述第1供電線的所述一對金屬棒各自的另一端分別與所述第2供電線的所述一對金屬棒各自的另一端連接。
發明效果
依照本發明,提供為在工作臺的下方具有冷卻部的結構并且具有不易產生對靜電吸盤的供電異常的容易安裝的供電機構的工作臺裝置、供電機構和處理裝置。
附圖說明
圖1是表示設有第1實施方式的工作臺裝置的處理裝置的一個例子的概要截面圖。
圖2是表示第1實施方式的工作臺裝置的主要部分的立體圖。
圖3是表示設有第2實施方式的工作臺裝置的處理裝置的一個例子的概要截面圖。
圖4是表示第2實施方式的工作臺裝置的主要部分的立體圖。
附圖標記說明
1、1’:處理裝置
10:處理容器
30:靶材
50、50’:工作臺裝置
52:工作臺
53:主體部
54:靜電吸盤
54b:吸附電極
56、156:供電機構
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東京毅力科創株式會社,未經東京毅力科創株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110140802.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





