[發明專利]電源老化負載電路

在審

• 申請號: 202110138449.4
• 申請日: 2021-02-01
• 公開（公告）號: CN112965003A
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 徐正祥;劉偉基;曾文華;冀鳴;趙剛;易洪波
• 申請（專利權）人: 佛山市博頓光電科技有限公司;中山市博頓光電科技有限公司
• 主分類號: G01R31/40
• 分類號: G01R31/40;G01R1/30
• 代理公司: 廣州市律帆知識產權代理事務所(普通合伙) 44614
• 代理人: 王偉

本申請涉及一種電源老化負載電路，包括至少兩個發熱控制單元，采樣電路，以及控制電路；所述發熱控制單元包括調節電路和MOS管，各個發熱控制單元的MOS管源極和漏極串聯后連接在電源的正負極兩端；其中，所述調節電路分別連接所述控制電路；所述采樣電路用于對電源信號進行采樣得到電源反饋信號輸出至所述控制電路；所述控制電路用于接收輸入的電源參考信號，將所述電源參考信號與所述電源反饋信號進行比對，輸出控制信號至所述調節電路；所述調節電路用于根據所述控制信號調節所述MOS管的柵極電壓以調節MOS管的內阻；該技術方案，通過把發熱控制單元串聯起來，增加了負載電壓，提升了電源老化負載電路使用范圍。

技術領域

本申請涉及高壓電源技術領域，特別是一種電源老化負載電路。

背景技術

離子源是一門用途廣，類型多、涉及科學多、工藝技術性強、發展十分迅速的應用科學技術。應用于離子源中的開關電源輸出電壓較高，有的高達數千伏特；因此，在對離子源的開關電源進行老化測試時，對于負載電路提出了更高要求。

目前，常見的開關電源測試老化負載都只有1200V左右，常見的老化負載，利用并聯的多個MOS管(場效應管)來實現，每個發熱控制單元由MOS管、若干個電阻、以及運算放大器組成，電源兩端的電壓分別加載到每個發熱控制單元中；但由于MOS管工藝最多在1500V左右，發熱控制單元電壓相當于是MOS管的源極電壓，當電源的電壓值高達數千伏時，電壓無法全部加載到MOS管的漏極和源極之間，由此可見，上述技術難以做到更高電壓的老化測試負載。

發明內容

基于此，有必要針對上述難以做到更高電壓的老化測試負載的技術缺陷，提供一種電源老化負載電路。

一種電源老化負載電路，包括：至少兩個發熱控制單元，采樣電路，以及控制電路；

所述發熱控制單元包括調節電路和MOS管，各個發熱控制單元的MOS管源極和漏極串聯后連接在電源的正負極兩端；其中，所述調節電路分別連接所述控制電路；

所述采樣電路用于對電源信號進行采樣得到電源反饋信號輸出至所述控制電路；

所述控制電路用于接收輸入的電源參考信號，將所述電源參考信號與所述電源反饋信號進行比對，輸出控制信號至所述調節電路；

所述調節電路用于根據所述控制信號調節所述MOS管的柵極電壓以調節MOS管的內阻。

在一個實施例中，所述采樣電路包括電壓采樣電路和電流采樣電路；其中，所述電壓采樣電路包括連接在電源兩端串聯的電阻R5和電阻R6，所述電流采樣電路包括連接在電源回路上的電阻R7；

所述電源反饋信號包括電源反饋信號和電流反饋信號；

所述電源參考信號包括參考電壓U1和參考電壓U2。

在一個實施例中，所述控制電路包括：運算放大器A1、運算放大器A2和控制信號發生電路；

所述運算放大器A1和運算放大器A2的輸出端分別連接所述控制信號發生電路；

所述運算放大器A1的同相輸入端連接在電阻R5和R6的連接點上，反相輸入端接入參考電壓U1；

所述運算放大器A2的同相輸入端接入參考電壓U2，反相輸入端通過電阻R7接地；

所述控制信號發生電路的輸出端連接至發熱控制單元。

在一個實施例中，所述控制信號發生電路包括PWM信號發生器，用于輸出PWM控制信號至所述調節電路；其中，所述PWM信號發生器連接電源VCC和接地。