[發明專利]電源老化負載電路

在審

• 申請號: 202110138449.4
• 申請日: 2021-02-01
• 公開（公告）號: CN112965003A
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 徐正祥;劉偉基;曾文華;冀鳴;趙剛;易洪波
• 申請（專利權）人: 佛山市博頓光電科技有限公司;中山市博頓光電科技有限公司
• 主分類號: G01R31/40
• 分類號: G01R31/40;G01R1/30
• 代理公司: 廣州市律帆知識產權代理事務所(普通合伙) 44614
• 代理人: 王偉

1.一種電源老化負載電路，其特征在于，包括：至少兩個發熱控制單元，采樣電路，以及控制電路；

所述發熱控制單元包括調節電路和MOS管，各個發熱控制單元的MOS管源極和漏極串聯后連接在電源的正負極兩端；其中，所述調節電路分別連接所述控制電路；

所述采樣電路用于對電源信號進行采樣得到電源反饋信號輸出至所述控制電路；

所述控制電路用于接收輸入的電源參考信號，將所述電源參考信號與所述電源反饋信號進行比對，輸出控制信號至所述調節電路；

所述調節電路用于根據所述控制信號調節所述MOS管的柵極電壓以調節MOS管的內阻。

2.根據權利要求1所述的電源老化負載電路，其特征在于，所述采樣電路包括電壓采樣電路和電流采樣電路；其中，所述電壓采樣電路包括連接在電源兩端串聯的電阻R5和電阻R6，所述電流采樣電路包括連接在電源回路上的電阻R7；

所述電源反饋信號包括電源反饋信號和電流反饋信號；

所述電源參考信號包括參考電壓U1和參考電壓U2。

3.根據權利要求2所述的電源老化負載電路，其特征在于，所述控制電路包括：運算放大器A1、運算放大器A2和控制信號發生電路；

所述運算放大器A1和運算放大器A2的輸出端分別連接所述控制信號發生電路；

所述運算放大器A1的同相輸入端連接在電阻R5和R6的連接點上，反相輸入端接入參考電壓U1；

所述運算放大器A2的同相輸入端接入參考電壓U2，反相輸入端通過電阻R7接地；

所述控制信號發生電路的輸出端連接至發熱控制單元。

4.根據權利要求3所述的電源老化負載電路，其特征在于，所述控制信號發生電路包括PWM信號發生器，用于輸出PWM控制信號至所述調節電路；其中，所述PWM信號發生器連接電源VCC和接地。

5.根據權利要求4所述的電源老化負載電路，其特征在于，所述調節電路包括：濾波電路和運算放大器A3；其中，所述運算放大器A3的同相輸入端通過電阻R3連接MOS管的漏極，通過電阻R4連接MOS管的源極；所述運算放大器A3的輸出端連接MOS管的柵極；所述運算放大器A3的反相輸入端連接所述濾波電路；

所述濾波電路用于將所述PWM控制信號轉換為直流電壓輸出至所述運算放大器A3的反相輸入端；

所述運算放大器A3用于輸出電壓信號至所述MOS管的柵極。

6.根據權利要求5所述的電源老化負載電路，其特征在于，所述PWM信號發生器分別通過光電耦合器連接至各個發熱控制單元的濾波電路，用于對所述PWM控制信號進行反相放大。

7.根據權利要求6所述的電源老化負載電路，其特征在于，所述濾波電路包括：電阻R1、電阻R2，以及電容C；

所述電阻R1連接電源VCC，并通過光電耦合器的輸出端連接MOS管的源極；所述運算放大器A3的反相輸入端通過電阻R2連接至電阻R1，所述電容C連接在所述運算放大器A3的反相輸入端與MOS管的源極之間。

8.根據權利要求7所述的電源老化負載電路，其特征在于，在電壓反饋環中：

電源兩端的電壓上升時，PWM信號發生器輸出占空比增加，電容C1電壓增加，MOS管的漏源電壓下降，發熱控制單元的負載電壓下降。

9.根據權利要求7所述的電源老化負載電路，其特征在于，在電流反饋環中：

電源回路的電流上升時，PWM信號發生器輸出占空比減小，電容C1電壓減小，MOS管的漏源電壓上升，發熱控制單元的負載電流下降。

10.根據權利要求1-9任一項所述的電源老化負載電路，其特征在于，所述電源的正負極兩端連接至離子源的開關電源的正負極兩端，用于對離子源的開關電源進行老化測試。