[發明專利]一種調整NAND FLASH頻率的方法及裝置

在審

• 申請號: 202110136260.1
• 申請日: 2021-02-01
• 公開（公告）號: CN112799980A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 申紅磊;李驪
• 申請（專利權）人: 北京華捷艾米科技有限公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16;G06F11/10;G11C29/42;G11C16/32;G11C7/22;G06F1/14
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張靜

1.一種調整NAND FLASH頻率的方法，其特征在于，包括：

從NAND FLASH內獲取預先放置的NAND控制器的配置信息；

若獲取到的NAND控制器的配置信息正確，則按照所述配置信息對所述NAND控制器進行配置，并利用配置后的NAND控制器控制NAND FLASH進行存儲操作；

若所述NAND FLASH進行存儲操作成功，則將所述配置后的NAND控制器的配置信息寫入到所述NAND FLASH；

執行監控程序，判斷所述NAND FLASH存儲操作失敗的頻率是否高于設定頻率閾值，和/或，判斷是否在設定時長內未執行過調整過程，所述調整過程為調整所述NAND FLASH的讀寫頻率，得到目標讀寫頻率，并將所述配置信息調整為與所述目標讀寫頻率相匹配的配置信息，直至所述目標讀寫頻率滿足設定要求，且，所述NAND FLASH在按照調整后的配置信息配置的NAND控制器的控制下，存儲操作成功；

若是，則執行所述調整過程；

若所述NAND FLASH進行存儲操作失敗，則執行所述調整過程。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述從NAND FLASH內獲取預先放置的NAND控制器的配置信息，包括：

從NAND FLASH的特定分區內獲取預先放置的NAND控制器的配置信息。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

若獲取到的NAND控制器的配置信息錯誤，則執行所述調整過程。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述調整所述NAND FLASH的讀寫頻率，得到目標讀寫頻率，并將所述配置信息調整為與所述目標讀寫頻率相匹配的配置信息，直至所述目標讀寫頻率滿足設定要求，且，所述NAND FLASH在按照調整后的配置信息配置的NAND控制器的控制下，存儲操作成功，包括：

在可用讀寫頻率范圍內，選擇位于中點的讀寫頻率，作為目標讀寫頻率；

將所述配置信息進行調整為與所述目標讀寫頻率相匹配的配置信息，作為目標配置信息，利用所述目標配置信息對所述NAND控制器配置，并利用配置后的NAND控制器控制所述NAND FLASH進行存儲操作；

在存儲操作成功時，判斷所述目標讀寫頻率是否在區間長度為設定區間長度的讀寫頻率范圍內；

若否，按照第一處理方式，對所述可用讀寫頻率范圍進行調整，得到第一讀寫頻率范圍，并將所述可用讀寫頻率范圍替換為所述第一讀寫頻率范圍，返回執行所述在可用讀寫頻率范圍內，選擇位于中點的讀寫頻率的步驟；

若是，則結束調整；

在存儲操作錯誤時，按照第二處理方式，對所述可用讀寫頻率范圍進行調整，得到第二讀寫頻率范圍，將所述可用讀寫頻率范圍替換為所述第二讀寫頻率范圍，返回執行所述在可用讀寫頻率范圍內，選擇位于中點的讀寫頻率的步驟。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述按照所述配置信息對所述NAND控制器進行配置，包括：

從所述NAND FLASH中獲取所述NAND控制器的配置信息對應的ECC校驗碼，作為基準ECC校驗碼；

生成獲取到的所述NAND控制器的配置信息的ECC校驗碼，作為目標ECC校驗碼；

比較所述基準ECC校驗碼與所述目標ECC校驗碼是否一致；

若一致，則按照所述配置信息對所述NAND控制器進行配置。