[發明專利]一種調整NAND FLASH頻率的方法及裝置

在審

• 申請號: 202110136260.1
• 申請日: 2021-02-01
• 公開（公告）號: CN112799980A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 申紅磊;李驪
• 申請（專利權）人: 北京華捷艾米科技有限公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16;G06F11/10;G11C29/42;G11C16/32;G11C7/22;G06F1/14
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張靜

本申請提供了一種調整NAND FLASH頻率的方法及裝置，當環境變化時，會引起NAND控制器的配置信息與最佳讀寫頻率不匹配，進而導致的存儲操作錯誤，該方法為了解決這一問題，動態調整NAND FLASH的讀寫頻率，同時調整NAND控制器的配置信息，使配置信息與NAND FLASH的讀寫頻率相匹配，降低環境或器件本身變化對讀寫頻率的影響，保證NAND控制器控制的準確性，進而保證NAND FLASH存儲操作的成功率。并且，將配置后的NAND控制器的配置信息寫入到NAND FLASH，使啟動時可以從NAND FLASH獲取配置信息，保證NAND控制器配置的速度，節省啟動時間，提高整體效率。

技術領域

本申請涉及存儲器技術領域，特別涉及一種調整NAND FLASH頻率的方法。

背景技術

NAND型快閃存儲器(NAND FLASH)是一種可在線進行電擦寫的非易失半導體存儲器，具有擦寫速度快、低功耗、大容量、低成本等優點，被廣泛應用于MP3、MP4、手機、數碼照相機、攝像機等電子產品中。

其中，一般會針對NAND FLASH設置固定的讀寫頻率，如，較高的讀寫頻率，但是，當環境或者NAND FLASH本身變化導致讀寫頻率降低時，將會導致讀寫出錯。

發明內容

為解決上述技術問題，本申請實施例提供一種調整NAND FLASH頻率的方法及裝置，以達到在保證NAND FLASH存儲操作的正確性，并且，保證NAND控制器配置的速度，節省啟動時間，提高整體效率的目的，技術方案如下：

一種調整NAND FLASH頻率的方法，包括：

從NAND FLASH內獲取預先放置的NAND控制器的配置信息；

若獲取到的NAND控制器的配置信息正確，則按照所述配置信息對所述NAND控制器進行配置，并利用配置后的NAND控制器控制NAND FLASH進行存儲操作；

若所述NAND FLASH進行存儲操作成功，則將所述配置后的NAND控制器的配置信息寫入到所述NAND FLASH；

執行監控程序，判斷所述NAND FLASH存儲操作失敗的頻率是否高于設定頻率閾值，和/或，判斷是否在設定時長內未執行過調整過程，所述調整過程為調整所述NANDFLASH的讀寫頻率，得到目標讀寫頻率，并將所述配置信息調整為與所述目標讀寫頻率相匹配的配置信息，直至所述目標讀寫頻率滿足設定要求，且，所述NAND FLASH在按照調整后的配置信息配置的NAND控制器的控制下，存儲操作成功；

若是，則執行所述調整過程；

若所述NAND FLASH進行存儲操作失敗，則執行所述調整過程。

可選的，所述從NAND FLASH內獲取預先放置的NAND控制器的配置信息，包括：

從NAND FLASH的特定分區內獲取預先放置的NAND控制器的配置信息。

可選的，所述方法還包括：

若獲取到的NAND控制器的配置信息錯誤，則執行所述調整過程。

可選的，所述調整所述NAND FLASH的讀寫頻率，得到目標讀寫頻率，并將所述配置信息調整為與所述目標讀寫頻率相匹配的配置信息，直至所述目標讀寫頻率滿足設定要求，且，所述NAND FLASH在按照調整后的配置信息配置的NAND控制器的控制下，存儲操作成功，包括：

在可用讀寫頻率范圍內，選擇位于中點的讀寫頻率，作為目標讀寫頻率；

將所述配置信息進行調整為與所述目標讀寫頻率相匹配的配置信息，作為目標配置信息，利用所述目標配置信息對所述NAND控制器配置，并利用配置后的NAND控制器控制所述NAND FLASH進行存儲操作；