[發明專利]對稱式正反接檢測電路

在審

• 申請號: 202110135704.X
• 申請日: 2021-02-01
• 公開（公告）號: CN112798984A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 陳昌歡;陳昌喜;劉宇健
• 申請（專利權）人: 深圳市拓邁特科技有限公司
• 主分類號: G01R31/55
• 分類號: G01R31/55;G01R31/69
• 代理公司: 深圳市精英創新知識產權代理有限公司 44740
• 代理人: 黃文鋒

1.對稱式正反接檢測電路，其特征在于，包括第一連接器、第二連接器、第一控制單元、第二控制單元、第三控制單元、第四控制單元、第一檢測信號輸入單元、第二檢測信號輸入單元以及主控MCU；所述第一連接器與所述第一控制單元連接，所述第二連接器與所述第二控制單元連接，所述第一控制單元與第二控制單元、第三控制單元和第四控制單元連接，所述第二控制單元與所述第一控制單元、第三控制單元和第四控制單元連接，所述第三控制單元與所述第一檢測信號輸入單元連接，所述第一檢測信號輸入單元與所述主控MCU連接，所述第四控制單元與所述第二檢測信號輸入單元連接，所述第二檢測信號輸入單元與所述主控MCU連接。

2.根據權利要求1所述的對稱式正反接檢測電路，其特征在于，所述第一控制單元和第二控制呈上下對稱設置；所述第三控制單元和第四控制單元呈左右對稱設置。

3.根據權利要求2所述的對稱式正反接檢測電路，其特征在于，所述第一控制單元為二極管D1。

4.根據權利要求3所述的對稱式正反接檢測電路，其特征在于，所述第二控制單元為二極管D2。

5.根據權利要求4所述的對稱式正反接檢測電路，其特征在于，所述第三控制單元為三極管Q1。

6.根據權利要求5所述的對稱式正反接檢測電路，其特征在于，所述第四控制單元為光耦合器U2。

7.根據權利要求6所述的對稱式正反接檢測電路，其特征在于，所述第一檢測信號輸入單元為電阻R5，所述第二檢測信號輸入單元為電阻R6。

8.根據權利要求7所述的對稱式正反接檢測電路，其特征在于，所述二極管D1的正極與所述第一連接器連接，所述二極管D1的負極與所述三極管Q1的基極、光耦合器U2的控制端以及二極管D2的負極連接，所述二極管D2的正極與所述第二連接器連接，所述二極管D2的負極與所述三極管Q1的集電極、光耦合器U2的控制端以及二極管D1的負極連接，所述三極管Q1的發射極與GND連接，所述三極管Q1的基極通過電阻R2與所述二極管D1的負極、二極管D2的負極以及光耦合器U2的控制端連接，所述三極管Q1的集電極與所述電阻R5的一端連接，所述光耦合器U2的控制端與檢測設備的電源連接，所述光耦合器U2的控制端通過電阻R3與所述二極管D1的負極、二極管D2的負極以及三極管Q1的基極連接，所述光耦合器U2的受控端與所述電阻R6的一端連接，所述電阻R5的另一端與所述主控MCU連接，所述電阻R6的另一端與所述主控MCU連接。

9.根據權利要求8所述的對稱式正反接檢測電路，其特征在于，所述主控MCU為芯片U1，所述芯片U1所采用的型號為HT66F004。

10.根據權利要求9所述的對稱式正反接檢測電路，其特征在于，還包括硬件控制單元；所述硬件控制單元包括電阻R7以及MOS管Q2，所述電阻R7的一端與所述電阻R6的一端連接，所述電阻R7的另一端與所述MOS管Q2的柵極連接，所述MOS管Q2的源極與GND連接。