[發明專利]一種高通量薄膜的制備裝置及方法

在審

• 申請號: 202110135381.4
• 申請日: 2021-02-01
• 公開（公告）號: CN112962067A
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 尹彬;張慶釗
• 申請（專利權）人: 北京中科泰龍電子技術有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 張德才

1.一種高通量薄膜的制備裝置，其特征在于，包括樣品臺、多個濺射靶和擋板；所述樣品臺設置于所述多個濺射靶的中部，并與所述多個濺射靶相隔一定距離；所述擋板可移動的設置于所述多個濺射靶之間且位于所述樣品臺正下方。

2.根據權利要求1所述的高通量薄膜的制備裝置，其特征在于，所述擋板與一個線性驅動機構傳動連接。

3.根據權利要求2所述的高通量薄膜的制備裝置，其特征在于，所述線性驅動機構為氣缸或液壓缸或直線電機。

4.根據權利要求1所述的高通量薄膜的制備裝置，其特征在于，所述擋板在靠近所述樣品臺時可遮蓋所述樣品臺，所述擋板在靠近所述多個濺射靶時完全不遮蓋所述樣品臺。

5.根據權利要求1所述的高通量薄膜的制備裝置，其特征在于，所述擋板為實心擋板或具有鏤空結構的擋板。

6.根據權利要求1所述的高通量薄膜的制備裝置，其特征在于，還包括控制系統，所述控制系統用于控制所述多個濺射靶的濺射功率以及所述擋板的位置。

7.根據權利要求1至6任一項所述的高通量薄膜的制備裝置的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：將所需材料成分的靶材安置于各濺射靶上，并調整各濺射靶的高度和角度；

S2：對裝置內部抽真空，之后注入濺射氣體，調整裝置內部的氣壓、溫度和濺射靶的濺射功率；

S3：打開濺射電源開關，開始濺射鍍膜；

S4：在濺射過程中，通過調整擋板的位置，改變擋板與樣品臺的相對距離，實現對一個濺射靶或幾個濺射靶的部分或完全遮擋，并改變濺射靶的濺射功率，在樣品臺上由邊緣向中部濺射出不同成分的鍍膜；

S5：鍍膜完成后，關閉濺射電源開關，取出樣品臺，得到一個具有多種不同成分的鍍膜樣品。