[發明專利]一種小型化離散耦合多核振蕩器有效
| 申請號: | 202110133881.4 | 申請日: | 2021-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN112968670B | 公開(公告)日: | 2022-11-08 |
| 發明(設計)人: | 舒一洋;錢慧珍;羅訊 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | H03B1/04 | 分類號: | H03B1/04;H03B5/08;H03L7/099 |
| 代理公司: | 成都智弘知識產權代理有限公司 51275 | 代理人: | 李小華 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 小型化 離散 耦合 多核 振蕩器 | ||
本發明公開了一種小型化離散耦合多核振蕩器,主要解決現有技術難以實現多核集成、難以引入波形倍增,波形整形等振蕩器等高性能技術且芯片尺寸較大的問題。該多核振蕩器由多個LC振蕩器耦合相連而成,所述LC振蕩器由電感L、電容C以及有源管構成;每個電感連接的兩個有源負阻之間間隔著一個有源負阻。每個電感可視為兩段,一段與前一個電感相耦合,一段與后一個電感相耦合。并且該離散耦合多核振蕩器不局限于2級,可任意擴展為m級n核離散耦合振蕩器(mn),離散耦合級數越高,芯片尺寸越小。通過上述設計,本發明可以使得振蕩器相同芯片尺寸下,實現的電感值大大增加,換言之,對于特定頻率要求,芯片尺寸能極大降低。因此,適宜推廣應用。
技術領域
本發明涉及一種振蕩器,具體地說,是涉及一種小型化離散耦合多核振蕩器。
背景技術
LC振蕩器是芯片上常用的振蕩器形式,用來實現的高頻信號的產生。如圖1所示,LC振蕩器由電感L、電容C以及有源管(MOS管或者三極管)構成。電感電容構成LC諧振器,其諧振頻率為f0=1/[2π(LC)1/2]。有源管提供負阻,通過消耗功耗抵消諧振器的損耗,從而使振蕩器在頻率f0處持續振蕩,實現信號輸出。
為支持現代無線通信系統、雷達系統的高頻譜純凈度的要求,需要振蕩器的相位噪聲非常低。而對于單核振蕩器,其相位噪聲性能通常有限,因此在對相位噪聲要求高的應用中,多核振蕩器往往被采用以實現更優的相位噪聲性能。
如圖2所示為現有技術中的一種電阻耦合多核振蕩器,其通過電阻將多個LC振蕩器耦合在一起,多個LC振蕩器同時工作,可實現相位噪聲抑制。理想情況下N核耦合可實現10logN dB的相位噪聲抑制(雙核對應3dB,四核對應6dB)。但是這種振蕩器需要額外的耦合電路以及片上互聯,且該振蕩器占用芯片面積較大,芯片版圖布局受限,難以實現四核以上多核集成。
如圖3所示為現有技術中的環形多核振蕩器,其通過將LC諧振器整合在一起,可以縮小芯片尺寸。圖4為環形多核振蕩器展開形式,該振蕩器較易實現多核擴展。相鄰的有源負阻器件由電感級聯在一起,為了使振蕩器共同工作在差分狀態(即每個電感中電流方向相同),電感的中心抽頭上需要級聯電阻,用于抑制不需要的電流流向,如圖5所示。該方案中由于電感中心抽頭上級聯電阻,難以利用中心抽頭給振蕩器供電,因此該結構僅適用于互補CMOS形有源電路。結構簡單,難以引入波形倍增,波形整形等振蕩器等高性能技術,該方案芯片尺寸仍然較大。
發明內容
本發明的目的在于提供一種小型化離散耦合多核振蕩器,主要解決現有技術難以實現多核集成、難以引入波形倍增,波形整形等振蕩器等高性能技術且芯片尺寸較大的問題。
為實現上述目的,本發明采用的技術方案如下:
一種小型化離散耦合多核振蕩器,由多個LC振蕩器耦合相連而成,所述LC振蕩器由電感L、電容C以及有源管構成;所有所述LC振蕩器的電感L離散耦合并且首尾相連,每個所述LC振蕩器中電感L由m段線圈繞接而成,具有(m-1)個電感中心抽頭,每個電感的第一段與下一個電感的第二段相耦合,下一個電感的第二段再與下下一個電感的第三段相耦合,直到最后一個電感的第m段與上一個電感的第(m-1)相耦合,其中,每個電感L連接的兩個有源管之間間隔著(m-1)個有源管;m為大于1的整數,且m的數值小于LC振蕩器的數量。
進一步地,所述有源管由交叉耦合的NMOS或交叉耦合的PMOS或交叉耦合的CMOS或交叉耦合的三極管構成。
進一步地,所述電容C由固定電容或可調電容或開關電容或三者任意個數組合構成。
進一步地,所述離散耦合的電感中還嵌套有電感。
進一步地,所述有源管為多端口有源電路。
與現有技術相比,本發明具有以下有益效果:
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