[發(fā)明專利]一種小型化離散耦合多核振蕩器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110133881.4
• 申請(qǐng)日: 2021-02-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112968670B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 舒一洋;錢(qián)慧珍;羅訊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H03B1/04
• 分類號(hào): H03B1/04;H03B5/08;H03L7/099
• 代理公司: 成都智弘知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51275
• 代理人: 李小華

1.一種小型化離散耦合多核振蕩器，由多個(gè)LC振蕩器耦合相連而成，所述LC振蕩器由電感L、電容C以及有源管構(gòu)成；其特征在于，所有所述LC振蕩器的電感L離散耦合并且首尾相連，每個(gè)所述LC振蕩器中電感L由m段線圈繞接而成，具有(m-1)個(gè)電感中心抽頭，每個(gè)電感的第一段與下一個(gè)電感的第二段相耦合，下一個(gè)電感的第二段再與下下一個(gè)電感的第三段相耦合，直到最后一個(gè)電感的第m段與上一個(gè)電感的第(m-1)相耦合，其中，每個(gè)電感L連接的兩個(gè)有源管之間間隔著(m-1)個(gè)有源管；m為大于1的整數(shù)，且m的數(shù)值小于LC振蕩器的數(shù)量；

所述有源管由交叉耦合的NMOS或交叉耦合的PMOS或交叉耦合的CMOS或交叉耦合的三極管構(gòu)成；

當(dāng)有源管為交叉耦合的NMOS或交叉耦合的PMOS或交叉耦合的CMOS時(shí)，所述有源管的輸入、輸出端為對(duì)應(yīng)的交叉耦合的NMOS或交叉耦合的PMOS或交叉耦合的CMOS中的MOS管的漏極，所述電容C兩端對(duì)應(yīng)連接于有源管的輸入、輸出端；

當(dāng)有源管為交叉耦合的三極管時(shí)，所述有源管的輸入、輸出端為對(duì)應(yīng)的交叉耦合的三極管的集電極，所述電容C兩端對(duì)應(yīng)連接于有源管的輸入、輸出端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型化離散耦合多核振蕩器，其特征在于，所述電容C由固定電容或可調(diào)電容或開(kāi)關(guān)電容或三者任意個(gè)數(shù)組合構(gòu)成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型化離散耦合多核振蕩器，其特征在于，所述離散耦合的電感中還嵌套有電感。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種小型化離散耦合多核振蕩器，其特征在于，所述有源管為多端口有源電路。