[發(fā)明專(zhuān)利]一種憶阻器組合式交叉陣列的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110129845.0
• 申請(qǐng)日: 2021-01-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112951989B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭新;邵哲元;黃鶴鳴
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華中科技大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H10N70/20
• 分類(lèi)號(hào): H10N70/20;H10B63/00
• 代理公司: 華中科技大學(xué)專(zhuān)利中心 42201
• 代理人: 陳燦;李智

1.一種憶阻器組合式交叉陣列的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)在襯底上依次沉積底部電極、阻變層和頂部電極，獲得若干個(gè)單器件憶阻器；這些憶阻器均為導(dǎo)電細(xì)絲型憶阻器；

(2)對(duì)每個(gè)單器件憶阻器進(jìn)行電預(yù)處理；所述電預(yù)處理，是在頂部電極施加正向掃描或脈沖電壓，底部電極接地，得到穩(wěn)定的阻變性能；

(3)在襯底上沉積金屬，通過(guò)金屬使得單器件憶阻器之間連接，獲得憶阻器交叉陣列。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述沉積是指物理沉積或化學(xué)沉積，所述沉積是指先在襯底上光刻出圖案，然后在圖案區(qū)域進(jìn)行沉積。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述圖案是采用光刻技術(shù)，通過(guò)顯影液顯影產(chǎn)生的。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述頂部電極和所述底部電極在所述襯底上的投影互為直角，構(gòu)成正交交叉電極的單器件憶阻器。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述物理沉積法為磁控濺射。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述襯底在沉積前進(jìn)行了清潔處理，所述清潔處理是將襯底依次放入丙酮、酒精、去離子水中，分別超聲清洗10-20分鐘，循環(huán)若干次，用氮?dú)獯蹈珊髠溆谩?/p>

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(3)中所述金屬為鈦金屬、鉑金屬的中一種或兩種的混合。