[發明專利]線切割裝置及線切割方法

在審

• 申請號: 202110119045.0
• 申請日: 2021-01-28
• 公開（公告）號: CN112917720A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 令狐嶸凱
• 申請（專利權）人: 西安奕斯偉硅片技術有限公司;西安奕斯偉材料技術有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04;B28D7/04;B28D7/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;陳麗寧

本發明涉及一種線切割裝置，用于對晶棒進行切割，包括相對設置的兩個導線輪，繞設于兩個所述導線輪之間的多根切割線，用于固定晶棒的晶棒工件，以及升降結構，所述升降結構用于控制晶棒工件下降以使得晶棒與切割線接觸，或者控制晶棒工件上升以使得晶棒與切割線脫離接觸，所述晶棒工件包括用于與晶棒的切割初始面連接的預接觸板。本發明還涉及一種線切割方法。通過預接觸板的設置，在晶棒進行切割時，使得預接觸板先與切割線接觸，避免晶棒的切割初始面與切割線接觸產生熱聚集，進而防止硅片由于熱聚集產生熱膨脹。

技術領域

本發明涉及硅產品制作技術領域，尤其涉及一種線切割裝置及線切割方法。

背景技術

作為半導體原件制造材料廣泛使用的硅片是指單晶硅薄板。將以圓桶狀態形成的晶棒使用高張力鋼線進行線切割，使其成為單張的硅片。線切割的晶棒切割裝置包括多根鋼線，及纏繞此大量的鋼線并進行高速旋轉的主導線輪。鋼線是在主導線輪的引導下高速運行，此時鋼線通過晶棒，將晶棒切割為單張的硅片。但是，晶棒在切割初期，由于急劇產生的熱量導致常溫的晶棒發生熱膨脹，晶棒的熱膨脹會誘發晶棒切割時產生硅片彎曲，且會導致晶棒切割面平坦度下降。

發明內容

為了解決上述技術問題，本發明提供一種線切割裝置及線切割方法，解決晶棒切割初期容易發生熱膨脹的問題。

為了達到上述目的，本發明實施例采用的技術方案是：一種線切割裝置，用于對晶棒進行切割，包括相對設置的兩個導線輪，繞設于兩個所述導線輪之間的多根切割線，用于固定晶棒的晶棒工件，以及升降結構，所述升降結構用于控制晶棒工件下降以使得晶棒與切割線接觸，或者控制晶棒工件上升以使得晶棒與切割線脫離接觸，所述晶棒工件包括用于與晶棒的切割初始面連接的預接觸板。

可選的，所述預接觸板的材質為多晶硅。

可選的，所述預接觸板包括用于與晶棒的切割初始面接觸的第一面，所述第一面的形狀與晶棒的切割初始面的形狀相符。

可選的，所述預接觸板包括與所述第一面相對設置第二面，所述第二面為平面結構。

可選的，所述預接觸板在垂直于其延伸方向上的第一厚度大于或等于100mm，第二厚度為10mm-15mm，所述預接觸板在垂直于其延伸方向的方向上包括中心部分和位于中心部分的相對的兩側的邊緣部分，所述邊緣部分的厚度為所述第一厚度，所述中心部分的厚度為所述第二厚度。

可選的，所述預接觸板在其延伸方向上的長度不小于晶棒的長度。

本發明涉及一種線切割方法，應用于上述的線切割裝置，包括：

在晶棒的切割初始面固定預接觸板；

在導線輪帶動切割線旋轉的同時，設置有預接觸板的晶棒在升降結構的控制下向靠近切割線的方向移動，以將晶棒切割為硅片。

本發明的有益效果是：預接觸板的設置，在晶棒進行切割時，使得預接觸板先與切割線接觸，避免晶棒的切割初始面與切割線接觸產生熱聚集，進而防止硅片由于熱聚集產生熱膨脹。

附圖說明

圖1表示本發明實施例中線切割裝置結構示意圖；

圖2表示本發明實施例中預接觸板結構示意圖。

具體實施方式

為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例的附圖，對本發明實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本發明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；谒枋龅谋景l明的實施例，本領域普通技術人員所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。