[發明專利]半導體結構

有效

• 申請號: 202110116929.0
• 申請日: 2021-01-28
• 公開（公告）號: CN112908994B
• 公開（公告）日: 2023-05-26
• 發明（設計）人: 王林
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L27/08
• 分類號: H01L27/08
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 郭鳳杰

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

焊盤結構，位于襯底上方；

電容結構，位于所述襯底與所述焊盤結構之間，與所述焊盤結構相對設置，在同一所述焊盤結構下的電容結構包括至少兩個并聯且間隔設置的電容單元，每個所述電容單元包括至少一個電容器件；

所述電容器件包括相對設置的第一極板以及第二極板，所述半導體結構還包括導電層，所述導電層包括相互絕緣的第一導電部與第二導電部，所述第一導電部電連接各所述電容器件的所述第一極板，所述第二導電部電連接各所述電容器件的所述第二極板，

且所述第二導電部為一體結構，且第二導電部在所述襯底上的正投影的內部位于所述焊盤結構在所述襯底上的正投影的內部而跨越所述電容結構內的各個電容器件；

所述第一導電部為分體結構，且包括多個相互電連接的子導電部，所述子導電部跨越所述電容結構內的相鄰的所述電容器件，每個所述電容器件的四個角落均電連接子導電部，各所述子導電部在所述襯底上的正投影與所述第二導電部在所述襯底上的正投影間隔設置；

每個所述電容單元包括至少兩個并聯設置的電容器件，所述電容結構內的各所述電容器件呈M行N列的陣列排布，M和N均為大于等于2的整數；

所述子導電部包括第一子部，所述第一子部呈工字型，同一所述第一子部跨越在兩兩相鄰且呈中心對稱分布的四個電容器件。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述電容結構在所述襯底上的正投影位于所述焊盤結構在所述襯底上的正投影的內部。

3.根據權利要求1或2所述的半導體結構，其特征在于，所述電容結構在所述襯底上的正投影的中心與所述焊盤結構在所述襯底上的正投影的中心重合。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一導電部與所述第二導電部中的其中一個還電連接電源端，另一個還電連接接地端。

5.根據權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，所述焊盤結構包括第一金屬層，所述第一金屬層一端電連接所述電源端或者所述接地端，且另一端通過第一通孔電連接各所述子導電部。

6.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述焊盤結構還包括第二金屬層、第三金屬層以及第四金屬層，所述第三金屬層通過第三通孔與所述第二金屬層連接，所述第四金屬層通過第四通孔與所述第三金屬層連接。

7.根據權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，所述第二金屬層在所述襯底上的正投影的形狀為環狀，且所述第二金屬層在所述襯底上的正投影圍繞所述電容結構在所述襯底上的正投影。

8.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述第三金屬層在所述襯底上的正投影與所述第二金屬層在所述襯底上的正投影相重疊。

9.根據權利要求6-8任一項所述的半導體結構，其特征在于，所述焊盤結構為電源焊盤或接地焊盤，且所述第二金屬層通過第二通孔電連接所述第一金屬層。

10.根據權利要求4-8任一項所述的半導體結構，其特征在于，所述電源端和/或所述接地端位于所述焊盤結構之外的外部電路。

11.根據權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，所述電容器件包括晶體管類型的電容，所述晶體管類型的電容的柵極構成所述電容器件的第一極板，所述晶體管類型的電容的源極、漏極以及所述襯底構成所述電容器件的第二極板。

12.根據權利要求11所述的半導體結構，其特征在于，

所述第一導電部電連接所述電源端，且所述第二導電部電連接所述接地端；

所述半導體結構還包括保護環，所述保護環兩端分別連接所述襯底與所述第二導電部，且所述保護環在所述襯底上的正投影圍繞所述電容結構在所述襯底上的正投影。

13.根據權利要求11所述的半導體結構，其特征在于，所述電容單元包括至少兩個所述晶體管類型的電容，同一所述電容單元內，相鄰兩個所述晶體管類型的電容共用所述源極或所述漏極。