[發(fā)明專利]一種提升子像素發(fā)光均衡的Micro-LED制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110115072.0 | 申請日： | 2021-01-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112951103B | 公開（公告）日： | 2022-07-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張永愛;繆志輝;周雄圖;吳朝興;郭太良;林堅(jiān)普;林志賢 | 申請（專利權(quán)）人： | 福州大學(xué);閩都創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室 |
| 主分類號(hào)： | G09F9/33 | 分類號(hào)： | G09F9/33;G03F7/20;H01L27/15 |
| 代理公司： | 福州元?jiǎng)?chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 35100 | 代理人： | 丘鴻超;蔡學(xué)俊 |
| 地址： | 362251 福建*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提升 像素 發(fā)光 均衡 micro led 制造 方法 | ||
1.一種提升子像素發(fā)光均衡的Micro-LED制造方法，其特征在于，所述Micro-LED包括紅色子像素、綠色子像素以及藍(lán)色子像素，每個(gè)子像素包括一個(gè)儲(chǔ)液槽，每個(gè)儲(chǔ)液槽中填充量子點(diǎn)膠體，每個(gè)儲(chǔ)液槽下方設(shè)置一個(gè)UV-LED；所述方法包括：
在陣列基板的受光面涂覆光刻膠；其中，所述陣列基板包括陣列排布的顯示像素，每個(gè)顯示像素包括所述紅色子像素、所述綠色子像素以及所述藍(lán)色子像素；
調(diào)整掩膜版，使所述掩膜版的透光區(qū)對應(yīng)至每個(gè)所述顯示像素；
維持所述掩膜版與所述陣列基板相對位置不變，采用入射方向不同的三組光源同時(shí)透過所述掩膜版的透光區(qū)對不同組別的子像素進(jìn)行曝光；其中，每組光源對應(yīng)一組相同顏色的子像素，每組光源的光照強(qiáng)度和光照時(shí)間根據(jù)與該組光源對應(yīng)顏色的子像素需填充的量子點(diǎn)膠體體積決定；
使用顯影液對所述陣列基板上的光刻膠進(jìn)行第一時(shí)間的溶解；
烘干所述陣列基板，并對所述子像素進(jìn)行刻蝕形成三種深度不同的儲(chǔ)液槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升子像素發(fā)光均衡的Micro-LED制造方法，其特征在于，所述方法還包括：
根據(jù)所述三組光源的入射方向、所述子像素的曝光寬度以及同一個(gè)顯示像素中兩個(gè)相鄰子像素的間隙，獲得所述掩膜版與陣列基板之間的距離，所述掩膜版與所述陣列基板之間的距離d滿足d＝(p+q)×|cotθ1|的關(guān)系；
其中，p為所述子像素的曝光寬度，q為同一個(gè)顯示像素中兩個(gè)相鄰子像素的間隙，θ1為第一入射角，θ2為第二入射角，θ3為第三入射角，所述第一入射角θ1、所述第二入射角θ2和所述第三入射角θ3分別為所述三組光源的入射方向與所述陣列基板法線的夾角，且有θ2＝-θ1，θ3＝0。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種提升子像素發(fā)光均衡的Micro-LED制造方法，其特征在于，所述方法還包括：
控制所述掩膜版，使所述掩膜版與陣列基板之間的距離d保持不變；
調(diào)整所述第一入射角θ1和所述第二入射角θ2使三組所述光源對不同組別的子像素進(jìn)行曝光。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種提升子像素發(fā)光均衡的Micro-LED制造方法，其特征在于，所述方法還包括：
控制所述光源，使所述第一入射角θ1和所述第二入射角θ2保持不變；
調(diào)整所述掩膜版，改變所述掩膜版與所述陣列基板之間的距離d使三組所述光源對不同組別的子像素進(jìn)行曝光。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升子像素發(fā)光均衡的Micro-LED制造方法，其特征在于，所述顯示像素包括的三個(gè)子像素為等大的矩形，且所述子像素和透光區(qū)大小相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升子像素發(fā)光均衡的Micro-LED制造方法，其特征在于，多個(gè)所述顯示像素構(gòu)成一列像素組，所述一列像素組分為紅色子像素組、綠色子像素組和藍(lán)色子像素組，且所述紅色子像素組、綠色子像素組、藍(lán)色子像素組以及透光區(qū)為等寬矩形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升子像素發(fā)光均衡的Micro-LED制造方法，其特征在于，所述方法還包括：往所述儲(chǔ)液槽中加入與所述儲(chǔ)液槽的深度對應(yīng)體積的量子點(diǎn)膠體。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種提升子像素發(fā)光均衡的Micro-LED制造方法，其特征在于，所述方法還包括：在加入量子點(diǎn)膠體后，對所述儲(chǔ)液槽進(jìn)行封膠，形成厚度一致的封膠層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升子像素發(fā)光均衡的Micro-LED制造方法，其特征在于，所述光刻膠為正性光刻膠。
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