[發(fā)明專利]一種高透、高阻、高硬度共摻雜DLC薄膜的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110109552.6 | 申請日: | 2021-01-27 |
| 公開(公告)號: | CN112899631A | 公開(公告)日: | 2021-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈洪雪;姚婷婷;李剛;彭塞奧 | 申請(專利權(quán))人: | 中建材蚌埠玻璃工業(yè)設(shè)計(jì)研究院有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司: | 安徽省蚌埠博源專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 34113 | 代理人: | 陳俊 |
| 地址: | 233010 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 硬度 摻雜 dlc 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種高透、高阻、高硬度共摻雜DLC薄膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、清洗襯底,去除襯底表面污垢:
S2、采用磁控三靶共濺射系統(tǒng),將W靶與C靶分別放置于磁控三靶共濺射系統(tǒng)的兩個靶位,W靶與C靶均采用直流電源,然后對磁控三靶共濺射系統(tǒng)抽真空、通入氬氣、起輝,活化和清理靶材;
S3、將襯底置于磁控三靶共濺射系統(tǒng)內(nèi),直流電源對磁控三靶共濺射系統(tǒng)抽真空,在真空度抽至6.0*10-5Pa時,通入濺射氣體氬氣,起輝,進(jìn)行預(yù)濺射;
S4、在襯底表面濺射鍍膜,得到所述共摻雜DLC薄膜;濺射時,W靶與C靶的功率為100~300W;Ar流量為10~20sccm,N2流量為3~5sccm,工作氣壓保持在0.2~1.0Pa,濺射總時間為1~3min,其中通入N2的濺射時間為10~30s。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高透、高阻、高硬度共摻雜DLC薄膜的制備方法,其特征在于,所述襯底采用超白高透玻璃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高透、高阻、高硬度共摻雜DLC薄膜的制備方法,其特征在于,步驟S4 中W靶的功率300W,C靶的功率為150W,Ar流量為15sccm,工作氣壓保持在0.5Pa,濺射總時間為2min,當(dāng)濺射時間到達(dá)1.5min時,通入N2,N2流量為3sccm,直至濺射完畢。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





