[發明專利]半導體器件的制造方法、記錄介質及襯底處理裝置

在審

• 申請號: 202110107065.6
• 申請日: 2021-01-26
• 公開（公告）號: CN113206000A
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 栗林幸永;小川有人;清野篤郎
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍

1.半導體器件的制造方法，其具有下述工序：

工序(a)，向處理室內的襯底供給含有鉬和氧的含鉬氣體的工序；

工序(b)，向所述襯底供給含有氫的添加氣體的工序；和

工序(c)，向所述襯底供給含有氫且化學組成與所述添加氣體不同的還原氣體的工序，

所述制造方法中，將所述工序(a)、工序(b)、工序(c)同時或依次進行一次以上，在所述襯底上形成鉬膜。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述含鉬氣體含有鹵元素。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述含鉬氣體包含MoO₂Cl₂(二氯二氧化鉬)，所述添加氣體包含從由SiH₄(甲硅烷)、NH₃(氨)、C₅H₅N(吡啶)組成的組中選擇的至少一者。

4.根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其中，所述含鉬氣體包含MoO₂Cl₂(二氯二氧化鉬)，所述添加氣體包含從由SiH₄(甲硅烷)、NH₃(氨)、C₅H₅N(吡啶)組成的組中選擇的至少一者。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述添加氣體的供給流量比所述含鉬氣體的供給流量多、比所述還原氣體的供給流量少。

6.根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其中，所述添加氣體的供給流量比所述含鉬氣體的供給流量多、比所述還原氣體的供給流量少。

7.根據權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其中，所述添加氣體的供給流量比所述含鉬氣體的供給流量多、比所述還原氣體的供給流量少。

8.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在所述工序(a)及所述工序(b)中，在未向所述襯底供給所述添加氣體的狀態下開始所述含鉬氣體的供給，在向所述襯底供給所述添加氣體的狀態下停止所述含鉬氣體的供給。

9.根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其中，在所述工序(a)及所述工序(b)中，在未向所述襯底供給所述添加氣體的狀態下開始所述含鉬氣體的供給，在向所述襯底供給所述添加氣體的狀態下停止所述含鉬氣體的供給。

10.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述工序(c)中的時間比未與所述工序(a)同時執行所述工序(b)的情況短。

11.根據權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其中，所述工序(c)中的時間比未與所述工序(a)同時執行所述工序(b)的情況短。

12.根據權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其中，所述工序(c)中的時間比未與所述工序(a)同時執行所述工序(b)的情況短。

13.根據權利要求5所述的半導體器件的制造方法，其中，所述工序(c)中的時間比未與所述工序(a)同時執行所述工序(b)的情況短。

14.根據權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其中，所述工序(c)中的時間比未與所述工序(a)同時執行所述工序(b)的情況短。

15.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述添加氣體的供給時間與所述還原氣體的供給時間的合計以成為規定時間的方式設定。