[發明專利]一種磷化銦晶片的研磨方法

在審

• 申請號: 202110106461.7
• 申請日: 2021-01-26
• 公開（公告）號: CN112975736A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 周一;畢洪偉;彭杰
• 申請（專利權）人: 威科賽樂微電子股份有限公司
• 主分類號: B24B37/04
• 分類號: B24B37/04;B24B55/06;C09K3/14;C11D7/04;C11D7/08;C11D7/06;C11D7/60
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 張晨

本發明涉及半導體晶片加工技術領域，公開了一種磷化銦晶片的研磨方法，包括以下步驟：將磷化銦晶片放入第一清洗劑中清洗，然后沖洗干凈；將磷化銦晶片放入到研磨機上進行第一次研磨，第一研磨液的質量百分比為：25％～30％CA15三氧化二鋁、1％～2％分散劑、1％～2％第一研磨油、66％～73％去離子水；將磷化銦晶片第二次清洗；對磷化銦晶片進行第二次研磨，第二研磨液的質量百分比為：35％～45％CA12三氧化二鋁、5％～6％分散劑、5％～6％第二研磨油、43％～55％去離子水；最后第三次清洗。本發明解決現有技術在磷化銦晶片研磨過程中，可能出現的輕微劃傷的問題，增加磷化銦晶片表面的平整度，在腐蝕過程中，更易清洗干凈。

技術領域

本發明涉及半導體晶片加工技術領域，尤其涉及一種磷化銦晶片的研磨方法。

背景技術

近年來，隨著我國經濟的高速發展，移動通訊等電子產品崛起，智能商品市場呈爆發式增長，尤其是5G時代的到來，對各類半導體材料的需求不斷增長。如單晶硅可用于計算機芯片，多晶硅可用于太陽能電池，砷化鎵、磷化銦等可用于集成電路，單晶氧化鋁可用于顯示屏等。在半導體材料應用之前先要對其進行加工，在加工的工藝中，半導體的研磨步驟至關重要，其直接影響半導體材料的加工質量。

目前在對磷化銦晶片進行研磨過程中，使用現有方法技術進行磷化銦晶片的研磨時，研磨結束，將晶片進行腐蝕后，一般會在晶片表面依舊存在少量細小的劃痕，并且磷化銦晶片在腐蝕之后表面存在未清洗干凈的情況。在研磨過程中，使用現有的機械方式進行研磨液以及研磨方式進行研磨后，無法去除晶片表面的細小劃傷等，從而影響晶片的性能，以及后續步驟的操作結果。所以在磷化銦晶片的研磨過程中，需要改進現有的研磨方法以及研磨液的配比方式。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的是提供一種磷化銦晶片的研磨方法，采用新型的研磨液配比，結合新型的研磨清洗工藝，解決現有技術在磷化銦晶片研磨過程中，可能出現的輕微劃傷的問題，增加磷化銦晶片表面的平整度，在腐蝕過程中，更易清洗干凈。

本發明通過以下技術手段解決上述技術問題：

一種磷化銦晶片的研磨方法，包括以下步驟：

S1、將切片磨邊后的磷化銦晶片放入溫度為25～30℃的第一清洗劑中清洗2～3min；

S2、使用去離子水將清洗后的磷化銦晶片沖洗干凈；

S3、將磷化銦晶片放入到研磨機上進行第一次研磨，研磨過程中使用第一研磨液，研磨過程中的研磨壓力為54N，研磨的時間為10min，其中第一研磨液的質量百分比為：25％～30％CA15三氧化二鋁、1％～2％分散劑、1％～2％第一研磨油、66％～73％去離子水。

S4、在第一次研磨之后，將磷化銦晶片從研磨機上取出，使用去離子水將磷化銦晶片沖洗干凈，使用第二清洗劑對磷化銦晶片進行清洗，清洗溫度為30～35℃，清洗時間為2～3min；

S5、對第二清洗劑清洗的磷化銦晶片進行第二次研磨，研磨過程中使用第二研磨液，在研磨過程，研磨機的運行壓力為32N，研磨的時間設置為15min其中第二研磨液的質量百分比為：35％～45％CA12三氧化二鋁、5％～6％分散劑、5％～6％第二研磨油、43％～55％去離子水；

S6、第二次研磨后，將磷化銦晶片從研磨機上取出，并且使用去離子水將晶片沖洗干凈，并且使用第三清洗劑對磷化銦晶片進行清洗，清洗溫度為30～35℃，清洗時間為2～3min。

進一步，所述步驟S1中的第一清洗劑的配方包括35％～40％氫氧化鈉、60％～65％雙氧水。采用氫氧化鈉與雙氧水混合溶液進行清洗，其中兩種物質不與磷化銦晶片發生反應，主要清洗晶片表面的油漬與金屬微粒，溶液具有強氧化性與堿性。堿可以溶解油脂，氧化劑可以氧化表面的物質，并且氧化物可以與堿發生反應溶解。