[發明專利]一種磷化銦晶片的研磨方法

在審

• 申請號: 202110106461.7
• 申請日: 2021-01-26
• 公開（公告）號: CN112975736A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 周一;畢洪偉;彭杰
• 申請（專利權）人: 威科賽樂微電子股份有限公司
• 主分類號: B24B37/04
• 分類號: B24B37/04;B24B55/06;C09K3/14;C11D7/04;C11D7/08;C11D7/06;C11D7/60
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 張晨

1.一種磷化銦晶片的研磨方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、將切片磨邊后的磷化銦晶片放入溫度為25～30℃的第一清洗劑中清洗2～3min；

S2、使用去離子水將清洗后的磷化銦晶片沖洗干凈；

S3、將磷化銦晶片放入到研磨機上進行第一次研磨，研磨過程中使用第一研磨液，研磨過程中的研磨壓力為54N，研磨的時間為10min，其中第一研磨液的質量百分比為：25％～30％CA15三氧化二鋁、1％～2％分散劑、1％～2％第一研磨油、66％～73％去離子水。

S4、在第一次研磨之后，將磷化銦晶片從研磨機上取出，使用去離子水將磷化銦晶片沖洗干凈，使用第二清洗劑對磷化銦晶片進行清洗，清洗溫度為30～35℃，清洗時間為2～3min；

S5、對第二清洗劑清洗的磷化銦晶片進行第二次研磨，研磨過程中使用第二研磨液，在研磨過程，研磨機的運行壓力為32N，研磨的時間設置為15min其中第二研磨液的質量百分比為：35％～45％CA12三氧化二鋁、5％～6％分散劑、5％～6％第二研磨油、43％～55％去離子水；

S6、第二次研磨后，將磷化銦晶片從研磨機上取出，并且使用去離子水將晶片沖洗干凈，并且使用第三清洗劑對磷化銦晶片進行清洗，清洗溫度為30～35℃，清洗時間為2～3min。

2.根據權利要求1所述的一種磷化銦晶片的研磨方法，其特征在于：所述步驟S1中的第一清洗劑的配方包括35％～40％氫氧化鈉、60％～65％雙氧水。

3.根據權利要求2所述的一種磷化銦晶片的研磨方法，其特征在于：所述步驟S3中第一研磨液的質量百分比為：25％CA15三氧化二鋁、2％分散劑、2％第一第一研磨油、71％去離子水。

4.根據權利要求3所述的一種磷化銦晶片的研磨方法，其特征在于：所述第一研磨油包括15％～25％單乙醇胺、20％～30％三乙醇胺、45％～65％水。

5.根據權利要求4所述的一種磷化銦晶片的研磨方法，其特征在于：所述第一研磨油包括25％單乙醇胺、25％三乙醇胺、50％水。

6.根據權利要求5所述的一種磷化銦晶片的研磨方法，其特征在于：所述第二清洗劑包括70％～80％雙氧水、10％～15％硫酸、5％～20％鹽酸。

7.根據權利要求6所述的一種磷化銦晶片的研磨方法，其特征在于：所述第二研磨液的質量百分比為：40％CA12三氧化二鋁、6％分散劑、6％第二研磨油、48％去離子水。

8.根據權利要求7所述的一種磷化銦晶片的研磨方法，其特征在于：所述第二研磨油包括10％壬二酸酰胺鈉、10％月桂二酸、20％單乙醇胺、60％水。

9.根據權利要求8所述的一種磷化銦晶片的研磨方法，其特征在于：所述第三清洗劑包括70％～80％雙氧水、20％～30％檸檬酸。