[發明專利]半導體結構

在審

• 申請號: 202110105460.0
• 申請日: 2021-01-26
• 公開（公告）號: CN113394290A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 摩爾·沙哈吉·B;李承翰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/08;H01L27/088
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

本揭示案揭露一種半導體結構。半導體結構包括基材、在基材上的柵極結構、和相鄰于柵極結構的源極/漏極區域。源極/漏極區域包括相互隔開的第一側表面和第二側表面。源極/漏極區域進一步包括頂表面和底表面，其中頂表面與底表面介于第一側表面與第二側表面之間。介于頂表面與底表面之間的第一距離大于介于第一側表面與第二側表面之間的第二距離。

技術領域

本揭示是關于半導體結構，尤其是場效晶體管的結構。

背景技術

隨著半導體技術的發展，具有更快處理系統的高效能晶體管的需求相應提升。為了達到此需求，降低晶體管的接觸電阻使晶體管的延遲(例如，電阻電容延遲)降到最小是非常重要的因素。可通過降低源極/漏極端點的接觸電阻來提升晶體管的速度。

發明內容

根據本揭示的一些實施方式，一種半導體結構包括基材、在基材上的柵極結構、和相鄰于柵極結構的源極/漏極區域。源極/漏極區域包括相互隔開的第一側表面和第二側表面。源極/漏極區域進一步包括頂表面和底表面，其中頂表面與底表面介于第一側表面與第二側表面之間。介于頂表面與底表面之間的第一距離大于介于第一側表面與第二側表面之間的第二距離。

附圖說明

閱讀以下實施方式時搭配附圖以清楚理解本揭示案的觀點。

圖1A是根據部分實施例繪制的半導體裝置的等角示意圖；

圖1B和圖1C是根據部分實施例繪制的半導體裝置的截面圖；

圖1D是根據部分實施例繪制的摻雜物和半導體裝置的半導體材料的原子濃度分布圖；

圖1E是根據部分實施例繪制的摻雜物和半導體裝置的半導體材料的原子濃度分布圖；

圖2是根據部分實施例繪制的形成半導體裝置的方法流程圖；

圖3A至圖8A和圖3B至圖8B是根據部分實施例繪制的形成半導體裝置的各制程階段的截面圖；

圖9是根據部分實施例繪制的半導體裝置的磊晶生長制程的溫度圖；

圖10A至圖11A、圖10B至圖11B和圖12是根據部分實施例繪制的形成半導體裝置的各制程階段的截面圖。

搭配參照附圖可清楚理解示例性實施例。附圖中，相同的參照符號表示相同、功能上相近、及/或結構上相近的元件。

【符號說明】

100:半導體裝置

101:場效晶體管

102:基材

104:柵極間隔物

108:鰭片結構

108B:第二頂表面

108T:第一頂表面

110:柵極結構

112:柵極介電層

114:柵極電極

124:源極/漏極區域

124A:第一層

124B:第二層

124C:第三層

124D:覆蓋層

124S1A:側表面

124S1B:側表面

124S2A:側表面

124S2B:側表面

124S3A:側表面