[發明專利]半導體結構在審
| 申請號： | 202110105460.0 | 申請日： | 2021-01-26 |
| 公開（公告）號： | CN113394290A | 公開（公告）日： | 2021-09-14 |
| 發明（設計）人： | 摩爾·沙哈吉·B;李承翰 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/08;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
一基材；
一柵極結構在該基材上；以及
一源極/漏極區域，相鄰于該柵極結構，包括：
一第一側表面和一第二側表面，該第一側表面與該第二側表面相互隔開；以及
一頂表面和一底表面，該頂表面與該底表面介于該第一側表面與該第二側表面之間，其中介于該頂表面與該底表面之間的一第一距離大于介于該第一側表面與該第二側表面之間的一第二距離。
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