[發(fā)明專利]一種圖形化Ag薄膜的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110103618.0
• 申請日: 2021-01-26
• 公開（公告）號: CN112875640A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李國強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 河源市眾拓光電科技有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B1/00;C23F1/02
• 代理公司: 廣州容大知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44326
• 代理人: 何雪霞

本發(fā)明提供一種圖形化Ag薄膜的制備方法，該制備方法包括以下步驟：制備Ag薄膜；在Ag薄膜表面預(yù)形成圖形化樣式的部分涂覆光刻膠；將Ag薄膜未涂覆光刻膠的部分進(jìn)行氧化處理至該部分轉(zhuǎn)變成Ag₂O薄膜；將Ag₂O薄膜進(jìn)行腐蝕處理至Ag₂O薄膜消失；將剩余帶有光刻膠的Ag薄膜進(jìn)行光刻膠去除，即得。本發(fā)明可精準(zhǔn)控制Ag薄膜上圖形化部分的樣式和尺寸，并且應(yīng)用在芯片上可以提高芯片的電性能或者光反射率。此外，本發(fā)明的制備方法工藝穩(wěn)定，腐蝕一致性好，適合批量化生產(chǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于MEMS制造技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種圖形化金屬的制備方法，具體涉及一種圖形化Ag薄膜的制備方法。

背景技術(shù)

在芯片制備工藝中，圖形化金屬是MEMS工藝中不可或缺的一環(huán)，如圖形化金屬掩膜、圖形化金屬電極和圖形性金屬反射層等；而金屬Ag薄膜因?yàn)槠涑叩姆瓷渎屎鸵字苽涞仍虮粡V泛的運(yùn)用于MEMS制備工藝中。

目前行業(yè)內(nèi)制備Ag薄膜金屬層的主要方法為熱蒸發(fā)沉積和磁控濺射，無論用何種方式制備Ag薄膜金屬層，對Ag薄膜圖形化均需要采用濕法腐蝕工藝或者光刻膠剝離工藝。采用濕法腐蝕工藝的方案，因各向同性的機(jī)理造成Ag薄膜被溶液側(cè)腐蝕導(dǎo)致Ag薄膜圖形化失真。采用光刻膠剝離工藝的方案，需要帶光刻膠制備Ag薄膜金屬層，因有機(jī)物高溫?fù)]發(fā)的機(jī)理會制約工藝溫度，從而影響Ag薄膜金屬層的粘附性，在后面工序的剝離過程中導(dǎo)致Ag薄膜圖形脫落的現(xiàn)象，同時光刻膠進(jìn)設(shè)備腔體也會造成對設(shè)備的污染和損壞，影響設(shè)備壽命。

有鑒于此，如今迫切需要開發(fā)一種新的圖形化金屬薄膜制備方法，以便克服現(xiàn)有Ag薄膜圖形化制備存在的上述缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明旨在提供一種圖形化Ag薄膜的制備方法，采用該方法獲得的圖形化Ag薄膜可以提高芯片電性能或者光反射性能，并且工藝過程適合批量化生產(chǎn)。本發(fā)明的技術(shù)方案為：

第一個方面，本發(fā)明提供一種圖形化Ag薄膜的制備方法，包括以下步驟：

制備Ag薄膜；

在Ag薄膜表面預(yù)形成圖形化樣式的部分涂覆光刻膠；

將Ag薄膜未涂覆光刻膠的部分進(jìn)行氧化處理至該部分轉(zhuǎn)變成Ag₂O薄膜；

將Ag₂O薄膜進(jìn)行腐蝕處理至Ag₂O薄膜消失；

將剩余帶有光刻膠的Ag薄膜進(jìn)行光刻膠去除，即得。

進(jìn)一步地，所述Ag薄膜的厚度為10nm～100nm。

優(yōu)選地，所述光刻膠的厚度為1um～5um。

優(yōu)選地，所述氧化處理的參數(shù)控制為：采用等離子體氧化方式，以O(shè)₂為氧化劑，N₂為保護(hù)氣，其中通O₂和N₂的時間為5min～20min，射頻功率為100w～500w，輝光放電時間為5min～20min。

進(jìn)一步地，所述腐蝕處理是將整個Ag薄膜浸入氨水水溶液中。

優(yōu)選地，所述氨水水溶液的濃度為1wt％～10wt％。

優(yōu)選地，所述光刻膠去除的溶劑為丙酮和/或乙醇。

第二個方面，本發(fā)明提供一種圖形化Ag薄膜，是采用上述制備方法獲得。

第三個方面，本發(fā)明提供一種芯片，所述芯片上設(shè)有上述圖形化Ag薄膜。

本發(fā)明的有益效果為：本發(fā)明可精準(zhǔn)控制Ag薄膜上圖形化部分的樣式和尺寸，并且應(yīng)用在芯片上可以提高芯片的電性能或者光反射率。此外，本發(fā)明的制備方法工藝穩(wěn)定，腐蝕一致性好，適合批量化生產(chǎn)。