[發明專利]一種圖形化Ag薄膜的制備方法在審
| 申請號： | 202110103618.0 | 申請日： | 2021-01-26 |
| 公開（公告）號： | CN112875640A | 公開（公告）日： | 2021-06-01 |
| 發明（設計）人： | 李國強 | 申請（專利權）人： | 河源市眾拓光電科技有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B81B1/00;C23F1/02 |
| 代理公司： | 廣州容大知識產權代理事務所(普通合伙) 44326 | 代理人： | 何雪霞 |
| 地址： | 517000 廣東省河源*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 圖形 ag 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種圖形化Ag薄膜的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
制備Ag薄膜；
在Ag薄膜表面預形成圖形化樣式的部分涂覆光刻膠；
將Ag薄膜未涂覆光刻膠的部分進行氧化處理至該部分轉變成Ag2O薄膜；
將Ag2O薄膜進行腐蝕處理至Ag2O薄膜消失；
將剩余帶有光刻膠的Ag薄膜進行光刻膠去除，即得。
2.根據權利要求1所述的一種圖形化Ag薄膜的制備方法，其特征在于：所述Ag薄膜的厚度為10nm～100nm。
3.根據權利要求1所述的一種圖形化Ag薄膜的制備方法，其特征在于：所述光刻膠的厚度為1um～5um。
4.根據權利要求1所述的一種圖形化Ag薄膜的制備方法，其特征在于：所述氧化處理的參數控制為：采用等離子體氧化方式，以O2為氧化劑，N2為保護氣，其中通O2和N2的時間為5min～20min，射頻功率為100w～500w，輝光放電時間為5min～20min。
5.根據權利要求1所述的一種圖形化Ag薄膜的制備方法，其特征在于：所述腐蝕處理是將整個Ag薄膜浸入氨水水溶液中。
6.根據權利要求5所述的一種圖形化Ag薄膜的制備方法，其特征在于：所述氨水水溶液的濃度為1wt％～10wt％。
7.根據權利要求1所述的一種圖形化Ag薄膜的制備方法，其特征在于：所述光刻膠去除的溶劑為丙酮和/或乙醇。
8.一種圖形化Ag薄膜，其特征在于：是采用上述制備方法獲得。
9.一種芯片，其特征在于：所述芯片上設有上述圖形化Ag薄膜。
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