[發明專利]集成芯片及其形成方法

在審

• 申請號: 202110103343.0
• 申請日: 2021-01-26
• 公開（公告）號: CN113380841A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 廖英凱;江欣益;陳祥麟;朱怡欣;劉柏均;黃冠杰;洪志明;劉人誠
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種集成芯片，包括：

襯底，所述襯底包括第一半導體材料；

第二半導體材料，所述第二半導體材料設置在所述第一半導體材料上，其中，所述第二半導體材料是IV族半導體或III-V族化合物半導體；

鈍化層，所述鈍化層設置在所述第二半導體材料上，其中，所述鈍化層包括所述第一半導體材料；以及

第一摻雜區域和第二摻雜區域，所述第一摻雜區域和所述第二摻雜區域延伸穿過所述鈍化層并進入所述第二半導體材料中。

2.根據權利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一半導體材料是硅。

3.根據權利要求1所述的集成芯片，其中，所述襯底的所述第一半導體材料豎直地且橫向地接觸所述第二半導體材料。

4.根據權利要求1所述的集成芯片，其中，所述鈍化層接觸所述第二半導體材料的最頂表面。

5.根據權利要求1所述的集成芯片，還包括：

硅化物，所述硅化物布置在所述鈍化層內且沿著所述第一摻雜區域和所述第二摻雜區域的頂部。

6.根據權利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一半導體材料是硅且所述第二半導體材料是鍺。

7.根據權利要求1所述的集成芯片，

其中，所述襯底具有側壁及水平延伸的表面，所述側壁及水平延伸的表面限定所述襯底內的凹槽；并且

其中，所述第二半導體材料布置在所述凹槽內。

8.根據權利要求7所述的集成芯片，

其中，所述第二半導體材料具有傾斜側壁，所述傾斜側壁使所述第二半導體材料具有第一寬度，所述第一寬度隨著所述水平延伸的表面上方的第一間距的增加而減小；并且

其中，所述鈍化層具有傾斜側壁，所述傾斜側壁使所述鈍化層具有第二寬度，所述第二寬度隨著所述水平延伸的表面上方的第二間距的增加而增加。

9.一種集成芯片，包括：

襯底，所述襯底包括硅；

第二半導體材料，所述第二半導體材料具有接觸所述襯底的所述硅的最底表面，其中，所述第二半導體材料包括IV族半導體或III-V族化合物半導體；

鈍化層，所述鈍化層包括硅，其中，所述鈍化層的所述硅接觸所述第二半導體材料的最頂表面；

第一摻雜區域，所述第一摻雜區域具有第一摻雜類型且延伸穿過所述鈍化層并進入所述第二半導體材料中；以及

第二摻雜區域，所述第二摻雜區域具有第二摻雜類型且延伸穿過所述鈍化層并進入所述第二半導體材料中，其中，所述第一摻雜區域和所述第二摻雜區域通過所述第二半導體材料與所述第二半導體材料的所述最底表面分開。

10.一種形成集成芯片的方法，包括：

在襯底上形成第二半導體材料，所述襯底包括第一半導體材料；

在所述第二半導體材料上形成鈍化層；

執行第一注入工藝以形成第一摻雜區域，所述第一摻雜區域具有第一摻雜類型且延伸穿過所述鈍化層并進入所述第二半導體材料中；以及

執行第二注入工藝以形成第二摻雜區域，所述第二摻雜區域具有第二摻雜類型且延伸穿過所述鈍化層并進入所述第二半導體材料中。