[發(fā)明專利]一種大功率MOS管的封裝方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110102926.1
• 申請日: 2021-01-26
• 公開（公告）號: CN112750709B
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃達(dá)利
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門四合微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/367;H01L23/31
• 代理公司: 深圳倚智知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44632
• 代理人: 霍如肖

1.一種大功率MOS管的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

A、準(zhǔn)備panel級的載體，在載體上制作用于導(dǎo)出MOS芯片漏極的第一銅塊、用于導(dǎo)出MOS芯片柵極的第二銅塊，以及用于導(dǎo)出MOS芯片源極的第三銅塊；

B、將MOS芯片底面的漏極焊接固定在第一銅塊上；

C、在MOS芯片頂面的柵極和源極的頂部分別制作銅塊；

D、將載板上的器件進(jìn)行塑封，形成塑封層；

E、在塑封層上制作柵極導(dǎo)出線路，所述柵極導(dǎo)出線路一端連接?xùn)艠O，另一端與第二銅塊連接；

同時在塑封層上制作源極導(dǎo)出線路，所述源極導(dǎo)出線路一端連接源極，另一端與第三銅塊連接；

F、在塑封層上壓合PP，形成粘結(jié)層；

G、在粘結(jié)層上采用金屬材料制作散熱層，并沿著源極導(dǎo)出線路制作多個與散熱層連接的銅柱；

H、將封裝后的器件與載體分離，然后在種子層底面進(jìn)行蝕刻，使第一銅塊、第二銅塊和第三銅塊的底部形成焊盤并相互斷開種子層的連接；

所述步驟C具體包括：

C1、預(yù)制一鍍錫的銅框架，所述銅框架上設(shè)置有與MOS芯片的柵極和源極間距對應(yīng)的銅塊，以及用于連接、固定銅塊的連筋；

C2、將銅框架上的銅塊與柵極和源極一一對應(yīng)焊接；

所述步驟E具體包括：

E1、對塑封后的器件的頂部進(jìn)行打磨減薄，并磨掉所述銅框架的連筋，使銅框架上的銅塊相互獨(dú)立；

E2、從塑封層頂面正對第二銅塊鉆盲孔至第二銅塊頂面，并從塑封層頂面正對第三銅塊鉆盲孔至第三銅塊頂面；

E3、通過沉銅電鍍，使鉆孔的孔壁以及塑封層上表面形成鍍銅，第二銅塊上方鉆孔形成柵極導(dǎo)通孔，第三銅塊上方鉆孔形成源極導(dǎo)通孔；所述源極導(dǎo)通孔為槽型孔；

E4、通過圖形工藝將塑封層上表面的鍍銅制成柵極導(dǎo)出線路和源極導(dǎo)出線路；

所述步驟G具體包括：

G1、沿源極導(dǎo)出線路，在粘結(jié)層上鉆多個盲孔至源極導(dǎo)出線路；其中，至少一個盲孔位于第一銅塊的上方；

G2、通過沉銅電鍍，在粘結(jié)層上表面及盲孔內(nèi)鍍銅，盲孔鍍銅后形成銅柱，粘結(jié)層上表面的鍍銅層作為散熱層。

2.如權(quán)利要求1所述大功率MOS管的封裝方法，其特征在于，所述步驟A具體包括：

A1、在載體的頂面濺射一層薄銅作為可分離的種子層；

A2、通過圖形工藝將第一銅塊、第二銅塊和第三銅塊的位置圖形轉(zhuǎn)移到種子層上；

A3、在圖形中第一銅塊、第二銅塊和第三銅塊的位置通過電鍍生長出銅塊，形成第一銅塊、第二銅塊和第三銅塊。

3.如權(quán)利要求2所述大功率MOS管的封裝方法，其特征在于，所述第三銅塊表面積大于所述第二銅塊的表面積。

4.如權(quán)利要求1所述大功率MOS管的封裝方法，其特征在于，所述載體的材料為鋼板。